Si2319DS
vishay siliconix
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2
文档 号码: 72315
s-40844—rev. b, 03-将-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
−
250
一个
−
40
V
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
一个
−
1.0
−
3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
40 v, v
GS
= 0 v
−
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
40 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
−
10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
−
5 v, v
GS
=
−
10 v
−
6 一个
流 源 在 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
3.0 一个 0.065 0.082
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
2.4 一个 0.100 0.130
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
5 v, i
D
=
−
3.0 一个 7.0 S
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
=
−
1.25 一个, v
GS
= 0 v
−
0.8
−
1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
11.3 17
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
−
20 v, v
GS
=
−
10 v
I
D
−
3 一个
1.7
nC
门-流 承担 Q
gd
I
D
−
3 一个
3.3
输入 电容 C
iss
470
输出 电容 C
oss
V
DS
=
−
20 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
85
pF
反转 转移 电容 C
rss
65
切换
c
转变 在 时间
t
d(在)
7 15
转变-在 时间
t
r
V
DD
=
−
20 v, r
L
=20
I
D
−
10 一个 v
GEN
=
−
45 v
15 25
ns
转变-止 时间
t
d(止)
I
D
−
1.0 一个, v
GEN
=
−
4.5 v
R
g
= 6
25 40
ns
转变-止 时间
t
f
g
25 40
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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