SI2319DS-T1-E3_集成电路资料查询网

Si2319DS
vishay siliconix
文档 号码:  72315
s-40844—rev. b, 03-将-04
www.vishay.com
3
典型 特性 (25

c 除非 指出)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
024681012
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 5 10 15 20 25 30 35 40
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
024681012
0
4
8
12
16
20
0246810
0
2
4
6
8
10
12
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
在-阻抗vs. 流 电流
输出 特性 转移 特性
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
T
C
= 125

C
−
55

C
V
GS
= 10 thru 5 v
1 v, 2 v
3 v
门 承担
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
−
电容 (pf)
V
GS
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 20 v
I
D
= 3 一个
I
D
−
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
V
GS
= 10 v
I
D
= 3 一个
T
J
−
接合面 温度 (

c)
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
25

C
4 v
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)

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Si2319DS vishay siliconix 文档号码: 72315 s-40844—rev. b, 03-将-04 www.vishay.com 3 典型特性 (25  c 除非指出) 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 150 0 2 4 6 8 10 024681012 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) 0 100 200 300 400 500 600 700 800 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20 024681012 0 4 8 12 16 20 0246810 0 2 4 6 8 10 12 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 在-阻抗vs. 流电流输出特性转移特性 V DS − 流-至-源电压 (v) − 流电流 (一个)I D V GS − 门-至-源电压 (v) − 流电流 (一个)I D T C = 125  C − 55  C V GS = 10 thru 5 v 1 v, 2 v 3 v 门承担 − 门-至-源电压 (v) Q g − 总的门承担 (nc) V DS − 流-至-源电压 (v) C − 电容 (pf) V GS C rss C oss C iss V DS = 20 v I D = 3 一个 I D − 流电流 (一个) 电容在-阻抗 vs. 接合面 temperature V GS = 10 v I D = 3 一个 T J − 接合面温度 (  c) V GS = 10 v V GS = 4.5 v 25  C 4 v r ds(在) − 在-resiistance (normalized)

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