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资料编号:607680
 
资料名称:SI2319DS-T1-E3
 
文件大小: 61.99K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2319DS
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 72315
s-40844—rev. b, 03-将-04
典型 特性 (25
c 除非 指出)
流 电流 (一个)I
D
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0246810
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
门槛 voltage 单独的 脉冲波 电源
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
T
J
温度 (
c) 时间 (秒)
电源 (w)
I
D
= 3 一个
I
D
= 250
一个
variance (v)V
gs(th)
20
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
T
J
= 25
C
1
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
safe 运行 范围, 接合面-至-情况
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100.0
1.0
0.1 1 10 100
0.01
10.0
0.1
限制 用
r
ds(在)
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
10 ms
100 ms
10
s
100
s
1 ms
直流, 100 s, 10 s, 1 s
10
8
6
4
2
0
0.01 0.1 1 10 100 1000
10
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