Si2301DS
vishay siliconix
文档 号码: 70627
s-31990—rev. e, 13-oct-03
www.vishay.com
1
p-频道 1.25-w, 2.5-v 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
20
0.130 @ v
GS
=-4.5 v -2.3
-20
0.190 @ v
GS
=-2.5 v -1.9
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
si2301ds (a1)*
*marking 代号
订货 信息: si2301ds-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
-20
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 25
C
I
D
-2.3
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 70
C
I
D
-1.5
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
-10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
b
I
S
-1.6
电源 消耗
b
T
一个
= 25
C
P
D
1.25
W电源 消耗
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 限制 单位
最大接合面-至-包围的
b
R
100
c/w
最大 接合面-至-包围的
c
R
thJA
166
c/w
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
b. 表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒.
c. 表面 挂载 在 fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网:http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm