Si2301DS
vishay siliconix
文档 号码: 70627
s-31990—rev. e, 13-oct-03
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3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
在-阻抗vs. 流 电流
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
0
2
4
6
8
10
012345
0
2
4
6
8
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
T
C
=-55
C
125
C
0, 0.5, 1 v
2.5 v
V
GS
= 5, 4.5, 4, 3.5, 3 v
1.5 v
2 v
0
200
400
600
800
1000
036912
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 0 50 100 150
0
1
2
3
4
5
02468
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0246810
门 承担
-门-至-源 电压 (v)
Q
g
-总的 门 承担 (nc)
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
C-电容 (pf)
V
GS
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 v
I
D
= 2.8 一个
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
-流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 2.8 一个
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 4.5 v
25
C