SI3015-KS_集成电路资料查询网

Si3038
rev. 2.01 17
bill 的 材料
表格 16. global 组件 values—si3038 chipset
组件
1
值 供应者(s)
c1,c4 150 pf, 3 kv, x7r,±20% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic
c2,c11,c23,c28,c29,c31,c32 不 安装
C3 0.22
µ
f, 16 v, x7r,±20% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic
C5 0.1 µf, 50 v, elec/tant, ±20%
c6,c10,c16 0.1 µf, 16 v, x7r, ±20%
c7,c8 560 pf, 250 v, x7r, ±20% novacap, johanson, murata, panasonic
C9 10 nf, 250 v, x7r, ±20%
C12 0.22 µf, 16 v, tant, ±20%
C13 0.47 µf, 16 v, x7r, ±20%
C14 0.68 µf, 16 v, x7r/elec/tant, ±20%
c18,c19 3.9 nf, 16 v, x7r, ±20%
C20 0.01 µf, 16 v, x7r, ±20%
C22 1800 pf, 50 v, x7r, ±20%
c24,c25
2
1000 pf, 3 kv, x7r, ±10%
C30
3
不 安装
c34,c35
4
33 pf, 16 v, npo, ±5%
d1,d2
5
双 二极管, 300 v, 225 毫安 central 半导体
d3,d4 bav99 双 二极管, 70 v, 350 mw 二极管 inc., onsemiconductor, 仙童
fb1,fb2 ferrite bead Murata
l1,l2
6
330 mh, 120 毫安, dcr <3
Ω
, ±10% Toko
q1,q3 a42, npn, 300 v onsemiconductor, 仙童
Q2 a92, pnp, 300 v onsemiconductor, 仙童
Q4
7
bcp56t1, npn, 60 v, 1/2 w onsemiconductor, 仙童
RV1 sidactor, 275 v, 100 一个 teccor, st 微电子学, microsemi, 德州仪器
RV2
8
不 安装
r1,r4,r21,r22,r23 不 安装
R2 402
Ω
, 1/16 w, ±1%
R3 不 安装
R5 36 k
Ω
, 1/16 w, ±5%
R6 120 k
Ω
, 1/16 w, ±5%
r7,r8,r15,r16,r17,r19
9
4.87 k
Ω
, 1/4 w, ±1%
r9,r10 56 k
Ω
, 1/10 w, ±5%
R11 10 k
Ω
, 1/16 w, ±1%
R12 78.7
Ω
, 1/16 w, ±1%
R13 215
Ω
, 1/16 w, ±1%
R18 2.2 k
Ω
, 1/10 w, ±5%
R24 150
Ω
, 1/16 w, ±5%
r27,r28 10
Ω
, 1/10 w, ±5%
R29 不 安装
R30 0
Ω
, 1/10 w
U1 Si3024 硅 labs
U2 Si3014 硅 labs
Y1
4
24.576 mhz, 18 pf, 50 ppm
Z1 齐纳 二极管, 43 v, 1/2 w vishay, onsemiconductor, rohm
z4,z5 齐纳 二极管, 5.6 v, 1/2 w 二极管 inc., onsemiconductor, 仙童
注释:
1.
这 下列的 涉及 designators 是 intentionally omitted: c15, c17, c21, c26, c27, c31–c33, r14, 和 r20.
2.
y2 类 电容 是 需要 为 这 nordic (所需的)东西 的 en60950 和 将 也 是 使用 至 达到 surge 效能 的 5 kV或者 更好的.
3.
安装 仅有的 如果 需要 为 改进 radiated emissions 效能 (10 pf, 16 v, npo, ±10%).
4.
y1, c34, 和 c35 应当 是 安装 如果 这 si3024 是 配置 作 一个 primary 设备.
5.
一些 二极管 桥 配置 是 可接受的(供应者 包含 一般 semi., 二极管 inc.)
6.
看 附录 b 为 额外的 仔细考虑.
7.
q4 将 需要 铜 在 板 至 满足 1/2 w 电源 必要条件. (联系 晶体管 生产者 为 详细信息.)
8.
rv2 能 是 安装 至 改进 效能 从 2500 v 至 3500 v 为 多样的 纵向的 surges (270 v, mov).
9.
这 r7, r8, r15 和 r16, r17, r19 电阻器 将 各自 是 replaced 和 一个 单独的 电阻 的 1.62 k
Ω
, 3/4 w, ±1%.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

Si3038 rev. 2.01 17 bill 的材料表格 16. global 组件 values—si3038 chipset 组件 1 值供应者(s) c1,c4 150 pf, 3 kv, x7r,±20% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic c2,c11,c23,c28,c29,c31,c32 不安装 C3 0.22 µ f, 16 v, x7r,±20% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic C5 0.1 µf, 50 v, elec/tant, ±20% c6,c10,c16 0.1 µf, 16 v, x7r, ±20% c7,c8 560 pf, 250 v, x7r, ±20% novacap, johanson, murata, panasonic C9 10 nf, 250 v, x7r, ±20% C12 0.22 µf, 16 v, tant, ±20% C13 0.47 µf, 16 v, x7r, ±20% C14 0.68 µf, 16 v, x7r/elec/tant, ±20% c18,c19 3.9 nf, 16 v, x7r, ±20% C20 0.01 µf, 16 v, x7r, ±20% C22 1800 pf, 50 v, x7r, ±20% c24,c25 2 1000 pf, 3 kv, x7r, ±10% C30 3 不安装 c34,c35 4 33 pf, 16 v, npo, ±5% d1,d2 5 双二极管, 300 v, 225 毫安 central 半导体 d3,d4 bav99 双二极管, 70 v, 350 mw 二极管 inc., onsemiconductor, 仙童 fb1,fb2 ferrite bead Murata l1,l2 6 330 mh, 120 毫安, dcr <3 Ω , ±10% Toko q1,q3 a42, npn, 300 v onsemiconductor, 仙童 Q2 a92, pnp, 300 v onsemiconductor, 仙童 Q4 7 bcp56t1, npn, 60 v, 1/2 w onsemiconductor, 仙童 RV1 sidactor, 275 v, 100 一个 teccor, st 微电子学, microsemi, 德州仪器 RV2 8 不安装 r1,r4,r21,r22,r23 不安装 R2 402 Ω , 1/16 w, ±1% R3 不安装 R5 36 k Ω , 1/16 w, ±5% R6 120 k Ω , 1/16 w, ±5% r7,r8,r15,r16,r17,r19 9 4.87 k Ω , 1/4 w, ±1% r9,r10 56 k Ω , 1/10 w, ±5% R11 10 k Ω , 1/16 w, ±1% R12 78.7 Ω , 1/16 w, ±1% R13 215 Ω , 1/16 w, ±1% R18 2.2 k Ω , 1/10 w, ±5% R24 150 Ω , 1/16 w, ±5% r27,r28 10 Ω , 1/10 w, ±5% R29 不安装 R30 0 Ω , 1/10 w U1 Si3024 硅 labs U2 Si3014 硅 labs Y1 4 24.576 mhz, 18 pf, 50 ppm Z1 齐纳二极管, 43 v, 1/2 w vishay, onsemiconductor, rohm z4,z5 齐纳二极管, 5.6 v, 1/2 w 二极管 inc., onsemiconductor, 仙童注释: 1. 这下列的涉及 designators 是 intentionally omitted: c15, c17, c21, c26, c27, c31–c33, r14, 和 r20. 2. y2 类电容是需要为这 nordic (所需的)东西的 en60950 和将也是使用至达到 surge 效能的 5 kV或者更好的. 3. 安装仅有的如果需要为改进 radiated emissions 效能 (10 pf, 16 v, npo, ±10%). 4. y1, c34, 和 c35 应当是安装如果这 si3024 是配置作一个 primary 设备. 5. 一些二极管桥配置是可接受的(供应者包含一般 semi., 二极管 inc.) 6. 看附录 b 为额外的仔细考虑. 7. q4 将需要铜在板至满足 1/2 w 电源必要条件. (联系晶体管生产者为详细信息.) 8. rv2 能是安装至改进效能从 2500 v 至 3500 v 为多样的纵向的 surges (270 v, mov). 9. 这 r7, r8, r15 和 r16, r17, r19 电阻器将各自是 replaced 和一个单独的电阻的 1.62 k Ω , 3/4 w, ±1%.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com