Si3038
18 rev. 2.01
表格 17. fcc 组件 values—si3036 chipset
组件
1
值 供应者(s)
c1,c4
2
150 pf, 3 kv, x7r,±20% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic
C2 不 安装
C3 0.22 µf, 16 v, x7r, ±20%
C5 1 µf, 16 v, elec/tant, ±20%
c6,c10,c16 0.1 µf, 16 v, x7r, ±20%
c9,c28,c29 15 nf, 250 v, x7r, ±20% novacap, johanson, murata, panasonic
C11 39 nf, 16 v, x7r, ±20%
C12
3
2.7 nf, 16 v, x7r, ±20%
c7,c8,c13,c14,c18,
c19,c20,c22
不 安装
C23
3
0.1
µ
f, 16 v, elec/tant/x7r, ±20%
c24,c25,c31,c32
2,4
1000 pf, 3 kv, x7r, ±10% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic
C30
5
不 安装
c34,c35
6
33 pf, 16 v, npo, ±5% novacap, venkel, johanson, murata, panasonic
d1,d2
7
双 二极管, 300 v, 225 毫安 central 半导体
d3,d4 bav99 双 二极管, 70 v, 350 mw 二极管 inc., onsemiconductor, 仙童
fb1,fb2 ferrite bead Murata
l1,l2 0
Ω
, 1/10 W
q1,q3 a42, npn, 300 v onsemiconductor, 仙童
Q2 a92, pnp, 300 v onsemiconductor, 仙童
Q4 不 安装
RV1 sidactor, 275 v, 100 一个 teccor, st 微电子学, microsemi, 德州仪器
RV2 mov, 240 v Panasonic
R1 51
Ω
, 1/2 w, ±5%
R2 15
Ω
, 1/4 w, ±5%
R3 不 安装
R4
3
,r18,r21
3
301
Ω
, 1/10 w, ±1%
r5,r6 36 k
Ω
, 1/10 w, ±5%
r7,r8,r11
3
,r12,r13,r15
r16,r17,r19,r24
不 安装
r9,r10 2 k
Ω
, 1/10 w, ±5%
r22,r23 20 k
Ω
, 1/10 w, ±5%
r27,r28 10
Ω
, 1/10 w, ±5%
R29 0
Ω
, 1/10 w
R30 不 安装
U1 Si3024 硅 labs
U2 Si3012 硅 labs
Y1
5
24.576 mhz, 18 pf, 50 ppm
Z1 齐纳 二极管, 18 v vishay, onsemiconductor, rohm
z4,z5 齐纳 二极管, 5.6 v, 1/2 w 二极管 inc., onsemiconductor, 仙童
注释:
1.
这 下列的 涉及 designators 是 intentionally omitted: c15, c17, c21, c26, c27, c31–c33, r14, 和 r20.
2.
y2 类 电容 将 也 是 使用 至达到 surge 效能 的 5 kv 或者 更好的.
3.
如果 jate 支持 是 不 必需的, r21, c12, 和 c23 将 是 removed 和 这 下列的 modifications 执行: r21 应当 是
replaced 和 一个 0
Ω
电阻 或者 短接, 和 r4 应当 是 changed 至 一个 604
Ω
, 1/4 w, ±1%.
4.
alternate population 选项 是 c24, c25 (2200 pf, 3 kv, x7r, ±10% 和 c31, c32 不 安装).
5.
安装 仅有的 如果 需要 为 改进 radiated emissions 效能 (10 pf, 16 v, npo, ±10%).
6.
y1, c34, 和 c35 应当 是 安装 如果 这si3024 是 配置 作 一个 primary 设备.
7.
一些 二极管 桥 配置 是 acceptable (供应者 包含 一般 semi., 二极管 inc.).
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