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资料编号:607891
 
资料名称:Si3200-BS
 
文件大小: 2328K
   
说明
 
介绍:
DUAL PROGRAMMABLE CMOS SLIC WITH LINE MONITORING
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3232
12 初步的 rev. 0.96
表格 8. 直流 特性, v
DDA
=V
DDD
=V
CC
=3.3v
(v
DD
, v
DD1
–V
DD4
= 3.13 v 至 3.47 v, t
一个
= 0 至 70 °c 为 k-等级, –40 至 85 °c 为 b-等级)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
高 水平的 输入
Voltage
V
IH
0.7 x
V
DD
—3.47v
低 水平的 输入 电压 V
IL
——0.3x
V
DD
V
高 水平的 输出
Voltage
V
OH
I
O
=4mA
V
DD
– 0.6 V
低 水平的 输出
Voltage
V
OL
sdo, int, sdithru
I
O
=–4mA
——0.4v
batsela/b, gpoa/b:
I
O
= –40 毫安
0.72 V
sdithru 内部的
pullup 阻抗
35 50 k
gpo 接转 驱动器
源 阻抗
R
输出
V
DD1
–V
DD4
=3.13v,
I
O
<28ma
—63—
gpo 接转 驱动器 下沉
阻抗
R
V
DD1
–V
DD4
=3.13v,
I
O
<85ma
—11—
输入 泄漏 电流 I
L
——±10
µ
一个
便条:
所有 定时 (除了 上升 和 下降 时间) 是 关联 至 这 50% 水平的 的 这 波形. 输入 测试 水平 是 v
IH
=
V
DD
0.4 v, v
IL
=
0.4 v. 上升 和 下降 时间 是 关联 至这 20% 和 80% 水平 的 这 波形.
表格 9. 切换 characteristics—general 输入
(v
DD
, v
DD1
–V
DD4
=
3.13 至 3.47 v, t
一个
=
0 至 70 °c 为 k-等级, –40 至 85 °c 为 b-等级, c
L
=
20 pf)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
上升 时间, 重置
t
r
—— 5 ns
重置
脉冲波 宽度
*
t
rl
500 ns
重置
脉冲波 width*, sdi daisy chain 模式 t
rl
6——
µ
s
*note:
这 最小 重置 脉冲波 宽度 假设 the sdithru 管脚 是 系 至地面 通过 一个 pulldown resi贮存 非 更好 比
10 k
每 设备.
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