Si4300DY
vishay siliconix
文档 号码: 71772
s-03951—rev. b, 26-将-03
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2-3
典型 特性 (25
c 除非 指出) 场效应晶体管
0
8
16
24
32
40
012345
-在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
200
400
600
800
1000
1200
0 5 10 15 20 25 30
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
8
16
24
32
40
0246810
0
2
4
6
8
10
0 3 6 9 12 15
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0 8 16 24 32 40
V
GS
= 10 thru 5 v
T
C
= 125
C
-55
C
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 v
I
D
= 9 一个
I
D
- 流 电流 (一个)
V
GS
= 10 v
I
D
= 9 一个
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
3 v
25
C
4 v
输出 特性 转移 特性
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
- 总的 门 承担 (nc)
C- 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
-接合面 温度 (
c)
(normalized)
-在-阻抗 (r
ds(在)
)