特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
2.5-v 评估
铅-自由
有
Si5441DC
vishay siliconix
文档号码: 71055
s-50366—rev. c, 28-二月-05
www.vishay.com
1
p-频道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个) Q
g
(典型值)
0.055 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
5.3
−
20
0.06 @ v
GS
=
−
3.6 v
−
5.1
11
0.083 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
4.3
1206-8 chipfe
T
D
D
D
G
D
D
D
S
1
bottom 视图
标记 代号
BA XX
lot traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
S
G
D
p-频道 场效应晶体管
订货 信息: Si5441DC
si5441dc-t1—e3 (含铅的 (铅)-自由)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
20
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
5.3
−
3.9
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
−
3.8
−
2.8
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
20
一个
持续的 源 电流
一个
I
S
−
2.1
−
1.1
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.5 1.3
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.3 0.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
焊接 recommendations (顶峰温度)
b,
c
260
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
40 50
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
80 95
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
15 20
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
b. 看 可靠性 手工的 为 profile. 这 chipfet 是 一个 无铅 包装. 这 终止 的 这 含铅的 终端 是 exposed 铜 (不镀有) 作 一个 结果 的 这 singulation
处理 在 制造. 一个 焊盘 fillet 在 这 exposed 铜 tip 不能 是 有保证的 和 是 不 必需的 至 确保 足够的 bottom 一侧 焊盘 intercon-
nection.
c. rework 情况: 手工的 焊接 和 一个 焊接 iron 是 不 推荐 为 无铅 组件.
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