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资料编号:608322
 
资料名称:SI8401DB-T1-E3
 
文件大小: 83.72K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si8401DB
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71674
s-40384—rev. f, 01-三月-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
250
一个
0.45
0.9 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
20 v, v
GS
= 0 v
1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C
5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
=
4.5 v
5 一个
源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
1 一个 0.057 0.065
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
2.5 v, i
D
=
1 一个 0.080 0.095
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
10
v,I
D
=
1 一个
6 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
1 一个, v
GS
= 0 v
0.73
1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
11 17
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=
10 v,
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
1 一个 2.1 nC
门-流 承担 Q
gd
2.9
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
17 25
上升 时间 t
r
V
DD
=
10 v, r
L
= 10
28 45
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=
10 v,R
L
= 10
I
D
1 一个, v
GEN
=
4.5 v, r
G
= 6
88 135
ns
下降 时间 t
f
60 90
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=
一个, di/dt = 100 一个/
s
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
2
4
6
8
10
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
2
4
6
8
10
0246810
V
GS
= 5 thru 2.5 v
25
C
T
C
= 125
C
2 v
55
C
1.5 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
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