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资料编号:608752
 
资料名称:SIP12201
 
文件大小: 865.34K
   
说明
 
介绍:
Synchronous Step Down Controller
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
vishay 半导体
SiP12201
文档 号码: 73541
s-52083–rev. 一个, 10-oct-05
www.vishay.com
9
新 产品
应用 注释
inductor 选择:
一个 inductor 是 一个 的 这 活力 存储 组件 在
一个 转换器. choosing 一个 inductor 意思 specifying 它的
大小, 结构, 材料, 电感, 饱和 level,
直流-阻抗 (dcr), 和 核心 丧失. fortunately,
那里 是 许多 inductor vendors 那 提供 宽 selec-
tions 和 ample 规格 和 测试 数据, 此类 作
vishay dale.
这 下列的 是 一些 关键 参数 那 用户
应当 focus 在. 在 pwm 模式, 电感 有 一个
直接 impact 在 这 波纹 电流. 这 顶峰-至-顶峰
inductor 波纹 电流 能 是 计算 作
在哪里 f = 切换 频率.
高等级的 电感 意思 更小的 波纹 电流, 更小的
rms 电流, 更小的 电压 波纹 在 两个都 输入 和 输出-
放, 和 高等级的 效率, 除非 这 resistive 丧失 的
这 inductor 支配 这 整体的 传导 丧失.
不管怎样, 高等级的 电感 也 意思 一个 bigger
inductor 大小 和 一个 slower 回馈 至 过往旅客. 在
psm 模式, 电感 affects inductor 顶峰 电流,
和 consequently impacts这 加载 capability 和
切换 频率. 为 fixed 线条 和 加载 情况,
高等级的 电感 结果 在 一个 更小的 顶峰 电流 为
各自 脉冲波, 一个 更小的 加载 能力, 和 一个 高等级的
切换 频率.
这 饱和 水平的 是 另一 重要的 参数 在
choosing inductors. 便条 那 这 饱和 水平
指定 在 数据 薄板 是 最大 电流. 为 一个
直流-至-直流 转换器 运行 在 pwm 模式, 它 是 这
最大 顶峰 inductor 电流 那 是 相关的, 和
这个 能 是 计算 使用 这些 equations:
这个 顶峰 电流 varies 和 电感 容忍 和
其它 errors, 和 这 评估 饱和 水平的 varies 在
温度. 所以 一个 sufficient 设计 余裕 是 必需的
当 choosing 电流 比率.
一个 高-频率 核心 材料, 此类 作 ferrite, 应当
是 选择, 这 核心 丧失 可以 含铅的 至 严重的 effi-
ciency penalties. 这 dcr 应当 是 保持 作 低 作
可能 至 减少 传导 losses.
输入 电容 选择:
至 降低 电流 脉冲波 induced 波纹 造成 用
这 步伐-向下 控制 和 干扰 的 大 volt-
age 尖刺 从 其它 电路, 一个 低-等效串联电阻 输入 capac-
itor 是 必需的 至 过滤 这 输入 电压. 这 输入
电容 应当 是 评估 为 这 最大 rms 输入
电流:
它 是 一般 实践 至 比率 为 这 worst-情况 rms
波纹 那 occurs 当 这 职责 循环 是 在 50%:
输出 电容 选择:
这 选择 的 这 输出 电容 是 primarily deter-
mined 用 这 等效串联电阻 必需的 至 降低 电压 波纹
和 电流 波纹. 这 desired 输出 波纹
V
输出
能 是 计算 用:
电流 波纹 能 是 计算 用:
在哪里:
V
输出
= desired 输出 波纹 电压
f = 切换 频率
I
最大值
= 最大 inductor 电流
I
最小值
= 最小 inductor 电流
t = 切换 时期
多样的 电容 放置 在 并行的 将 是 需要 至
满足 这 等效串联电阻 (所需的)东西.不管怎样 如果 这 等效串联电阻 是 too
低 它 能 导致 在稳固 问题.
场效应晶体管 选择:
这 关键 选择 criteria为 这 mosfets 包含
最大 规格 for 在-阻抗, 流-
源 电压, 门 源, 电流, 和 总的 门
承担 qg. 当 这 电压 比率 是 fairly 笔直地-
向前, 它 是 重要的 至 carefully balance 在-resis-
tance 和 门 承担. 在 典型 mosfets, 这 更小的
这 在-阻抗, 这 高等级的 这 门 承担. 这
电源 丧失 的 一个 场效应晶体管 组成 的 传导, 门
承担, 和 转型 losses. 为 更小的-电流 appli-
cations, 门 承担 losses 变为 一个 重大的 fac-
tor, 所以 低 门 承担mosfets, 此类 作 vishay
siliconix's little foot 家族 的 pwm-优化
设备, 是 desirable.
()
Lf
V
V
VV
I
输出
输出
PP
=
2
I
II
PP
输出PK
+=
=
输出
输出
加载(m
一个
x)RM
S
V
V
1
V
V
I
I
2
I
I
加载(m
一个
x)
RM
S
=
()
+
=
输出
最小值m
一个
x
8
fC
1
E
S
R
I
-i
V
输出
()
)
VV
(
V
V
L
T
I
-i
输出-
输出
最小值m
一个
x
=
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