ADS7807
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SBAS022B
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系 高 将 电源-向下 这 内部的 涉及 减少
这 整体的 电源 消耗量 的 这 ads7807 用 approxi-
mately 5mw.
这 内部的 涉及 有 大概 一个 8ppm/
°
c 逐渐变化
(典型) 和 accounts 为 大概 20% 的 这 全部-规模
错误 (fse =
±
0.5% 为 低 等级,
±
0.25% 为 高 等级).
这 ads7807 也 有 一个 内部的 缓存区 为 这 涉及
电压. 图示 10 显示 典型的 阻抗 在 这
输入 和 输出 的 这 缓存区 和 所有 结合体 的 电源-
向下 和 涉及 向下.
REF
ref (管脚 5) 是 一个 输入 为 一个 外部 涉及 或者 这 输出
为 这 内部的 2.5v 涉及. 一个 2.2
µ
f tantalum 电容
应当 是 连接 作 关闭 作 可能 至 这 ref 管脚
从 地面. 这个 电容 和 这 输出 阻抗 的 ref
create 一个 低-通过 过滤 至 bandlimit 噪音 在 这 涉及.
使用 一个 小 值 电容 将 introduce 更多 噪音 至
这 涉及, degrading 这 snr 和 sinad. 这 ref 管脚
应当 不 是 使用 至 驱动 外部 交流 或者 直流 负载, 作
显示 在 图示 10.
这 范围 为 这 外部 涉及 是 2.3v 至 2.7v 和
确定 这 真实的 lsb 大小. 增加 这 涉及
电压 将 增加 这 全部-规模 范围 和 这 lsb 大小 的
这 转换器 这个 能 改进 这 snr.
图示 10. 典型的 阻抗 的 内部的 缓存区.
pwrd 0 pwrd 0 pwrd 1 pwrd 1
refd 0 refd 1 refd 0 refd 1
Z
CAP
(
Ω
) 1 1 200 200
Z
REF
(
Ω
) 6k 100M 6k 100M
图示 9. 电路 图解 表明 外部 和 内部的 电阻器.
CAP
cap (管脚 4) 是 这 输出 的 这 内部的 涉及 缓存区. 一个
2.2
µ
f tantalum 电容 应当 是 放置 作 关闭 作
可能 至 这 cap 管脚 从 地面 至 提供 最佳的
切换 电流 为 这 cdac 全部地 这 转换
39.8k
Ω
200
Ω
V
在
CDAC
(0.3125v 至 2.8125v)
+5V
9.9k
Ω
100
Ω
20k
Ω
40k
Ω
+2.5v
66.5k
Ω
+2.5v
39.8k
Ω
200
Ω
CDAC
(0.3125v 至 2.8125v)
V
在
9.9k
Ω
33.2k
Ω
20k
Ω
40k
Ω
+2.5v
100
Ω
+2.5v
39.8k
Ω
200
Ω
V
在
CDAC
(0.3125v 至 2.8125v)
9.9k
Ω
33.2k
Ω
20k
Ω
40k
Ω
+2.5v
100
Ω
+2.5v
CDAC
CAP
(管脚 4)
Z
CAP
缓存区
内部的
涉及
REF
(管脚 5)
Z
REF
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