初步的
sm5010 序列
nippon 精确 circuits—1
nippon 精确 电路 公司
结晶 振荡器 单元 ics
OVERVIEW
这 sm5010 序列 是 结晶 振荡器 单元 ics, 那 包含 振荡器 和 输出 缓存区 电路.
高-频率 电容 和 反馈 电阻器 是 建造-在, eliminating 这 需要 为 外部 组件 至
制造 一个 稳固的 基本的-调和的 振荡器.
特性
■
反相器 amplifier 反馈 电阻 建造-在
■
电容 c
G
, c
D
建造-在
■
备用物品 函数
■
电源-保存 拉-向上 电阻 建造-在 (5010cl
×
)
■
16 毫安 (v
DD
=
4.5 v) 驱动 能力
(5010an
×
, ak
×
, bn
×
, bk
×
, cl
×
, dn
×
)
■
4 毫安 (v
DD
=
4.5 v) 驱动 能力
(5010ah
×
, bh
×
)
■
输出 三-状态 函数
■
2.7 至 5.5 v 供应 电压
■
振荡器 频率 输出 (f
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8
决定 用 内部的 连接)
■
8-管脚 sop (sm5010
×××
s)
■
碎片 表格 (cf5010
×××
)
序列 配置
便条:推荐 operating 频率 是 不 这 guaranteed value 但是 是 量过的 使用 npc’s标准 crystal.
版本
1
1. 碎片 表格 设备 有designation cf5010
×××
.
输出
频率
3v 运行 5v 运行
R
D
[
Ω
]
建造-在
电容
输入
水平的
(5v)
输出
职责 水平的
备用物品
函数
输出
加载
(最大值)
[pF]
推荐
运行
频率
范围[MHz]
输出
加载
(最大值)
[pF]
推荐
运行
频率
范围[MHz]
输出
电流
[mA]
C
G
[pF]
C
D
[pF]
SM5010AN1S f
O
15 30 50 30 16 –
TBD
TTL CMOS 非
SM5010AN2S f
O
/2 15 30 50 30 16 – TTL cmos/ttl 非
SM5010AN3S f
O
/4 15 30 50 30 16 – TTL cmos/ttl 非
SM5010AN4S f
O
/8 15 30 50 30 16 – TTL cmos/ttl 非
SM5010AK1S f
O
– – 15 30 16 – TTL TTL 非
SM5010AH1S f
O
15 16 15 30 4 – TTL CMOS 非
SM5010AH2S f
O
/2 15 16 15 30 4 – TTL CMOS 非
SM5010AH3S f
O
/4 15 16 15 30 4 – TTL CMOS 非
SM5010AH4S f
O
/8 15 16 15 30 4 – TTL CMOS 非
SM5010BN1S f
O
15 30 50 30 16 820 TTL CMOS 非
SM5010BN2S f
O
/2 15 30 50 30 16 820 TTL cmos/ttl 非
SM5010BN3S f
O
/4 15 30 50 30 16 820 TTL cmos/ttl 非
SM5010BN4S f
O
/8 15 30 50 30 16 820 TTL cmos/ttl 非
SM5010BK1S f
O
– – 15 30 16 820 TTL TTL 非
SM5010BH1S f
O
15 16 15 30 4 820 TTL CMOS 非
SM5010BH2S f
O
/2 15 16 15 30 4 820 TTL CMOS 非
SM5010BH3S f
O
/4 15 16 15 30 4 820 TTL CMOS 非
SM5010BH4S f
O
/8 15 16 15 30 4 820 TTL CMOS 非
SM5010CL1S f
O
15 30 50 30 16 – CMOS CMOS Yes
SM5010CL2S f
O
/2 15 30 50 30 16 – CMOS CMOS Yes
SM5010CL3S f
O
/4 15 30 50 30 16 – CMOS CMOS Yes
SM5010CL4S f
O
/8 15 30 50 30 16 – CMOS CMOS Yes
SM5010DN1S f
O
15 30 50 30 16 820 TTL CMOS 非
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