SM5010_集成电路资料查询网

初步的
sm5010 序列
nippon 精确 circuits—5
电的 特性
5010
×
N
×
序列
3 v运作: v
DD
= 2.7 至 3.6 v, v
SS
= 0 v, ta =
−
10 至 70
°
c 除非 否则 指出.
5010
×
N
×
,
×
K
×
序列
5 v运作: v
DD
= 4.5 至 5.5 v, v
SS
= 0 v, ta =
−
40 至 85
°
c 除非 否则 指出.
参数 标识 情况
比率
单位
最小值 典型值 最大值
高-水平的输出 voltage V
OH
q: 度量 cct 1, v
DD
=2.7 v, i
OH
=8 m 一个 2.1 2.4 – V
LOW -水平的 输出 voltage V
OL
q: 度量 cct 2, v
DD
=2.7 v, i
OL
=8 m 一个 – 0.3 0.4 V
输出 泄漏 电流 I
Z
q: 度量 cct 2, inh=LOW , v
DD
=3.6 v, v
OH
= v
DD
––10
µA
q: 度量 cct 2, inh=LOW , v
DD
=3.6 v, v
OL
= v
SS
––10
高-水平的输入 voltage V
IH
INH 2.0 – – V
LOW -水平的 输入 voltage V
IL
INH – – 0.5 V
电流 消耗量 I
DD
度量 cct 3, 加载 cct 1,
INH= 打开, c
L
=15pf, f =30MHz
5010
×
N1
TBD
毫安
5010
×
N2
5010
×
N3
5010
×
N4
INH拉-向上 阻抗 R
UP1
度量 cct 4 – 100 – k
Ω
反馈阻抗 R
f
度量 cct 5 – 200 – k
Ω
振荡器 ampliﬁer 输出
阻抗
R
D
设计 值 5010B
××
– 820 –
Ω
建造-在 电容
C
G
设计 值,determined 用这 内部的
wafer 模式
5010A
××
, 5010b
××
TBD
pF
C
D
pF
参数 标识 情况
比率
单位
最小值 典型值 最大值
高-水平的输出 voltage V
OH
q: 度量 cct 1, v
DD
=4.5 v, i
OH
=16m 一个 3.9 4.2 – V
LOW -水平的 输出 voltage V
OL
q: 度量 cct 2, v
DD
=4.5 v, i
OL
=16m 一个 – 0.3 0.4 V
输出 泄漏 电流 I
Z
q: 度量 cct 2, inh=LOW , v
DD
=5.5 v, v
OH
= v
DD
––10
µA
q: 度量 cct 2, inh
= lOW , v
DD
=5.5 v, v
OL
= v
SS
––10
高-水平的输入 voltage V
IH
INH 2.0 – – V
LOW -水平的 输入 voltage V
IL
INH – – 0.8 V
电流 消耗量 I
DD
度量 cct 3, 加载 cct 2,
INH= 打开, c
L
=50pf, f =30MHz
5010
×
N1
TBD
毫安
5010
×
N2
5010
×
N3
5010
×
N4
度量 cct 3, 加载 cct 1,
INH
= 打开, c
L
=15pf, f =30MHz
5010
×
K
×
INH拉-向上 阻抗 R
UP1
度量 cct 4 – 100 – k
Ω
反馈阻抗 R
f
度量 cct 5 – 200 – k
Ω
振荡器 ampliﬁer 输出
阻抗
R
D
设计 值 5010B
××
– 820 –
Ω
建造-在 电容
C
G
设计 值,determined 用这 内部的
wafer 模式
5010A
××
, 5010b
××
TBD
pF
C
D
pF

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

初步的 sm5010 序列 nippon 精确 circuits—5 电的特性 5010 × N × 序列 3 v运作: v DD = 2.7 至 3.6 v, v SS = 0 v, ta = − 10 至 70 ° c 除非否则指出. 5010 × N × , × K × 序列 5 v运作: v DD = 4.5 至 5.5 v, v SS = 0 v, ta = − 40 至 85 ° c 除非否则指出. 参数标识情况比率单位最小值典型值最大值高-水平的输出 voltage V OH q: 度量 cct 1, v DD =2.7 v, i OH =8 m 一个 2.1 2.4 – V LOW -水平的输出 voltage V OL q: 度量 cct 2, v DD =2.7 v, i OL =8 m 一个 – 0.3 0.4 V 输出泄漏电流 I Z q: 度量 cct 2, inh=LOW , v DD =3.6 v, v OH = v DD ––10 µA q: 度量 cct 2, inh=LOW , v DD =3.6 v, v OL = v SS ––10 高-水平的输入 voltage V IH INH 2.0 – – V LOW -水平的输入 voltage V IL INH – – 0.5 V 电流消耗量 I DD 度量 cct 3, 加载 cct 1, INH= 打开, c L =15pf, f =30MHz 5010 × N1 TBD 毫安 5010 × N2 5010 × N3 5010 × N4 INH拉-向上阻抗 R UP1 度量 cct 4 – 100 – k Ω 反馈阻抗 R f 度量 cct 5 – 200 – k Ω 振荡器 ampliﬁer 输出阻抗 R D 设计值 5010B ×× – 820 – Ω 建造-在电容 C G 设计值,determined 用这内部的 wafer 模式 5010A ×× , 5010b ×× TBD pF C D pF 参数标识情况比率单位最小值典型值最大值高-水平的输出 voltage V OH q: 度量 cct 1, v DD =4.5 v, i OH =16m 一个 3.9 4.2 – V LOW -水平的输出 voltage V OL q: 度量 cct 2, v DD =4.5 v, i OL =16m 一个 – 0.3 0.4 V 输出泄漏电流 I Z q: 度量 cct 2, inh=LOW , v DD =5.5 v, v OH = v DD ––10 µA q: 度量 cct 2, inh = lOW , v DD =5.5 v, v OL = v SS ––10 高-水平的输入 voltage V IH INH 2.0 – – V LOW -水平的输入 voltage V IL INH – – 0.8 V 电流消耗量 I DD 度量 cct 3, 加载 cct 2, INH= 打开, c L =50pf, f =30MHz 5010 × N1 TBD 毫安 5010 × N2 5010 × N3 5010 × N4 度量 cct 3, 加载 cct 1, INH = 打开, c L =15pf, f =30MHz 5010 × K × INH拉-向上阻抗 R UP1 度量 cct 4 – 100 – k Ω 反馈阻抗 R f 度量 cct 5 – 200 – k Ω 振荡器 ampliﬁer 输出阻抗 R D 设计值 5010B ×× – 820 – Ω 建造-在电容 C G 设计值,determined 用这内部的 wafer 模式 5010A ×× , 5010b ×× TBD pF C D pF

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com