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rev. 7/16/03 sp6122 低 电压, 微观的 8, pfet, buck 控制 © 版权 2003 sipex 公司
P
sh(最大值)
≅
1/2 i
输出(最大值)
V
在(最大值)
(t
上升 +
t
下降
)f
S
在哪里 t
上升
(sp6122) 为 8a pmos 是 typi-
cally 20ns 和 t
下降
(sp6122) 为 8a pmos
是 典型地 40ns.
切换 losses 需要 至 是 带去 在
账户 为 高 切换 频率, 自从
它们 是 直接地 均衡的 至 切换
频率. 这 传导 losses associ-
ated 和 这 pmos 是 决定 用:
P
ch(最大值)
= i
输出 (最大值)
2
R
ds(在)
D
在哪里 r
ds(在)
= 流 至 源 在 resis-
tance.
这 总的 电源 losses 的 这 pmos 是 这
总 的 切换 和 传导 losses.
为 输入 电压 的 3.3v 和 5v, conduc-
tion losses 常常 支配 切换 losses.
因此, lowering 这 r
ds(在)
的 这 pmos
总是 改进 效率 甚至 though 它
给 上升 至 高等级的 切换 losses 预定的 至
增加 c
RSS
.
为 这 sp6122 设计 例子, 这
仙童 pmos pds6375 是 选择 为
它的 低 r
ds(在)
和 好的 切换 charac-
teristics 包含 低 门 承担 在 这
3.3v 输入. 使用 表格 1 值 为 r
ds(在)
和 t
上升
和 t
下降
为 这 sp6122, 我们
计算;
P
sh(最大值)
= 119mw 和 p
ch(最大值)
= 203mw.
R
ds(在)
varies 非常 和 这 门 驱动器
电压. 这 场效应晶体管 vendors 常常 具体说明
R
ds(在)
在 多样的 门 至 源 电压
(v
GS
), 作 好 作 提供 典型 曲线 的
R
ds(在)
相比 v
GS
. 为 5v 输入, 使用 这
R
ds(在)
指定 在 4.5v v
GS
. 在 这 时间 的
这个 发行, vendors, 此类 作 仙童,
siliconix 和 国际的 整流器, 有
started 至 具体说明 r
ds(在)
在 v
GS
较少 比
3v. 这个 有 提供 需要 数据 为
设计 在 这个 这些 mosfets 是 驱动
和 3.3v 和 制造 它 可能 至 使用
sp6122 在 3.3v 仅有的 产品.
热的 计算 必须 是 安排 至
确保 这 场效应晶体管 能 handle 这 maxi-
mum 加载 电流. 这 接合面 tempera-
ture 的 这 场效应晶体管, 决定 作 跟随,
必须 停留 在下 这 最大 比率.
T
j(最大值)
= t
一个 (最大值)
+ p
场效应晶体管(最大值)
R
θ
JA
在哪里
T
一个 (最大值)
= 最大 包围的 温度
P
场效应晶体管(最大值)
= 最大 电源 消耗
的 这 场效应晶体管, 包含 两个都 切换
和 传导 losses
R
θ
JA
=接合面 至包围的 热的 阻抗.
R
θ
JA
的 这 设备 取决于 非常 在 这
板 布局, 作 好 作 设备 包装.
重大的 热的 改进 能 是
达到 在 这 最大 电源 消耗
通过 这 恰当的 设计 的 铜 挂载-
ing 焊盘 在 这 电路 板. 为 例子,
在 一个 所以-8 包装, 放置 二 0.04 正方形的
英寸 铜 垫子 直接地 下面 这 包装-
age, 没有 occupying 额外的 板
空间, 能 增加 这 最大 电源
从 大概 1 至 1.2w.
为 这 pmos pds6375, 假设 t
一个 (最大值)
= 20
°
c, p
场效应晶体管(最大值)
= p
sh(最大值)
+ p
ch(最大值)
= 321mw, 和 假设 每 pds6375
数据 薄板, r
θ
JA
= 50
°
c/w 如果 使用 0.5 在
2
垫子 的 2oz cu,
T
j(最大值)
= 36
°
C
这个 是 仅有的 一个 16
°
c 上升 从 包围的.
肖特基 二极管 选择
这 肖特基 二极管 是 选择 为 低 为-
ward 电压, 电流 能力 和 快
切换 速. 这 平均 电源 dissi-
pation 的 这 肖特基 二极管 是 决定
用
P
二极管
= v
F
I
输出
(1-
d)
在哪里 v
F
是 这 向前 电压 的 这
肖特基 二极管 在 i
输出
.
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