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资料编号:619978
资料名称:
SPB100N08S2-07
文件大小: 309.28K
说明
:
介绍
:
OptiMOS Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-05-09
页 5
spp100n08s2-07
spb100n08s2-07
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0
1
2
3
4
V
6
V
DS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
一个
240
spp100n08s2-07
I
D
V
GS
[V]
一个
一个
4.8
b
b
5.0
c
c
5.3
d
d
5.5
e
e
5.8
f
f
6.0
g
g
6.3
h
h
6.5
i
P
tot
=
300
W
i
10.0
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0
20
40
60
80
100
120
一个
160
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Ω
24
spp100n08s2-07
R
ds(在)
V
GS
[v] =
e
e
5.8
f
f
6.0
g
g
6.3
h
h
6.5
i
i
10.0
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
0
1
2
3
4
5
V
7
V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
一个
220
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数:
g
fs
0
20
40
60
80
100
一个
140
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
S
120
g
fs
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