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资料编号:620341
资料名称:
SPD28N05L
文件大小: 130.75K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
3
30/jan/1998
SPD28N05L
SPU28N05L
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
V
DS
≥
2
*
I
d *
R
ds(在)最大值,
I
D
= 20 一个
g
fs
10
20
-
S
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
-
770
960
pF
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
-
230
300
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
-
130
165
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 28 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
d(在)
-
10
15
ns
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 28 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
r
-
75
115
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 28 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
d(止)
-
30
45
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 28 一个
R
G
= 6.8
Ω
t
f
-
20
30
门 承担 在 门槛
V
DD
= 40 v,
I
D
≥
0.1 一个,
V
GS
=0 至 1 v
Q
g(th)
-
1
1.5
nC
门 承担 在 5.0 v
V
DD
= 40 v,
I
D
= 28 一个,
V
GS
=0 至 5 v
Q
g(5)
-
20
30
门 承担 总的
V
DD
= 40 v,
I
D
= 28 一个,
V
GS
=0 至 10 v
Q
g(总的)
-
32
50
门 plateau 电压
V
DD
= 40 v,
I
D
= 28 一个
V
(plateau)
-
4
-
V
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