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资料编号:620535
资料名称:
SPI21N10
文件大小: 483.75K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-31
页 5
初步的 数据
SPI21N10
spp21n10,spb21n10
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0
5
10
V
20
V
DS
0
10
20
30
一个
50
I
D
一个
b
c
d
e
V
GS
[V]=
一个= 5.6
b= 6.0
c= 7.0
d= 8.0
e= 10.0
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
一个
50
I
D
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
m
260
R
ds(在)
一个
b
c
d
e
V
GS
[V]=
一个= 5.6
b= 6.0
c= 7.0
d= 8.0
e= 10.0
7 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
2
3
4
5
6
V
8
V
GS
0
5
10
15
20
一个
30
I
D
8 典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数:
g
fs
0
4
8
12
16
一个
24
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
S
14
g
fs
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