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资料编号:620667
资料名称:
SPP03N60C3
文件大小: 308.23K
说明
:
介绍
:
Cool MOS Power Transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-10-02
页 6
spp03n60c3, spb03n60c3
SPA03N60C3
最终 数据
5 瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
6 瞬时 热的 阻抗 fullpak
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
t
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
7 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
4
8
12
16
V
24
V
DS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
一个
11
I
D
20V
7V
6.5v
6V
5.5v
5V
4.5v
4V
8 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
4
8
12
16
V
24
V
DS
0
1
2
3
4
一个
6
I
D
20V
7V
6V
5.5v
5V
4.5v
4V
3.5v
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