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资料编号:620667
 
资料名称:SPP03N60C3
 
文件大小: 308.23K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-10-02
页 9
spp03n60c3, spb03n60c3
SPA03N60C3
最终 数据
17 典型值 流 源 电压 斜度
d
v
/d
t
= f(
R
G
), inductive 加载,
T
j
= 125°c
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=3.2a
0 20 40 60 80 100 120 140 160
200
R
G
0
10
20
30
40
50
60
70
v/ns
90
d
v
/d
t
dv/dt(在)
dv/dt(止)
18 典型值 切换 losses
E
=
f
(
I
D
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
R
G
=20
0 0.5 1 1.5 2 2.5
一个
3.5
I
D
0
0.001
0.002
0.003
0.004
0.005
0.006
0.007
0.008
mWs
0.01
E
Eon*
Eoff
*) e
包含 sdp06s60
二极管 commutation losses.
19 典型值 切换 losses
E
=
f
(
R
G
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=3.2a
0 40 80 120 160
220
R
G
0
0.006
0.012
0.018
0.024
0.03
0.036
0.042
0.048
mWs
0.06
E
Eon*
Eoff
*) e
包含 sdp06s60
二极管 commutation losses.
20 avalanche soa
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
150 °c
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
µs
t
AR
0
0.5
1
1.5
2
2.5
一个
3.5
I
AR
T
j(开始)
=25°C
T
j(开始)
=125°C
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