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资料编号:620673
 
资料名称:SPP35N10
 
文件大小: 480.7K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-31
页 3
初步的 数据
SPI35N10
spp35n10,spb35n10
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=26.4a
12 23 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
- 1180 1570 pF
输出 电容
C
oss
- 245 326
反转 转移 电容
C
rss
- 137 206
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=50v,
V
GS
=10v,
I
D
=35a,
R
G
=7
- 12.2 18.3 ns
上升 时间
t
r
- 63 95
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 39 59
下降 时间
t
f
- 23 34
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=80v,
I
D
=35A
- 6.5 8.6 nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 27 41
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=80v,
I
D
=35a,
V
GS
=0 至 10v
- 49 65
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=80v,
I
D
=35A
- 6.1 - V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的
向前 电流
I
S
T
C
=25°C
- - 35 一个
inverse 二极管 直接 电流,
搏动
I
SM
- - 140
inverse 二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0v,
I
F
=35A
- 0.95 1.25 V
反转 恢复 时间
t
rr
V
R
=50v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100a/µs
- 80 100 ns
反转 恢复 承担
Q
rr
- 230 290 nC
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