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资料编号:620673
资料名称:
SPP35N10
文件大小: 480.7K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-31
页 7
初步的 数据
SPI35N10
spp35n10,spb35n10
11 典型值 avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 35 一个 ,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
30
60
90
120
150
180
210
mJ
270
E
作
12 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= 35 一个 搏动
0
10
20
30
40
50
60
nC
75
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP35N10
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
13 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPP35N10
V
(br)dss
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