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资料编号:620702
资料名称:
SPP08P06P
文件大小: 96.95K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
1
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3
4
5
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7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-11-22
页 3
SPP08P06P
SPB08P06P
初步的 数据
电的 特性,
在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
V
DS
³
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
= -6.2 一个
1.5
g
fs
s-3.6
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
335
420
pf-
C
oss
-
135105
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
9565
C
rss
-
转变-在 延迟 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -6.2 一个,
R
G
= 6
W
-
24
ns16
t
d(在)
上升 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -6.2 一个,
R
G
= 6
W
t
r
-
6946
48
72
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -6.2 一个,
R
G
= 6
W
-
下降 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -6.2 一个,
R
G
= 6
W
t
f
-
14
21
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