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资料编号:620703
资料名称:
SPP20N60CFD
文件大小: 167.36K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-12-22
页 6
SPP20N60CFD
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
4
8
12
16
20
V
28
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
一个
40
I
D
vgs = 20v
vgs = 7.5v
vgs = 7v
vgs = 6.5v
vgs = 6v
vgs = 5.5v
vgs = 5v
vgs = 4.5v
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
一个
40
I
D
0.3
0.6
0.9
Ω
1.5
R
ds(在)
vgs = 4.5v
vgs = 5v
vgs = 5.5v
vgs = 6v
vgs = 6.5v
vgs = 7v
vgs = 7.5v
vgs = 20v
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 13.1 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
Ω
1.3
SPP20N60CFD
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
4
8
12
V
20
V
GS
0
10
20
30
40
50
一个
70
I
D
tj = 150°c
tj = 25°c
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