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资料编号:621011
资料名称:
SPW32N50C3
文件大小: 257.74K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-03-16rev. 2.0
页 6
SPW32N50C3
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
20
40
一个
80
I
D
vgs = 4v
vgs = 4.5v
vgs = 5v
vgs = 5.5v
vgs = 6v
vgs = 20v
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
10
20
30
40
50
60
I
D
80
I
D
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Ω
2
R
ds(在)
vgs = 4v
vgs = 5.5v
vgs = 4.5v
vgs = 5v
vgs = 20
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 20 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
Ω
0.65
SPW32N50C3
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0
20
40
60
80
100
120
一个
160
I
D
tj = 25°c
tj =150°c
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