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资料编号:621011
 
资料名称:SPW32N50C3
 
文件大小: 257.74K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-16rev. 2.0
页 8
SPW32N50C3
13 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
450
460
470
480
490
500
510
520
530
540
550
560
570
V
600
SPW32N50C3
V
(br)dss
14 avalanche 电源 losses
P
AR
=
f
(
f
)
参数:
E
AR
=1mJ
10
4
10
5
10
6
Hz
f
0
200
400
600
W
1000
P
AR
15 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
=1 mhz
0 100 200 300
V
500
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
Ciss
Crss
Coss
16 典型值
C
oss
贮存 活力
E
oss
=
f
(
V
DS
)
0 100 200 300
V
500
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
µJ
22
E
oss
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