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数据 薄板
256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit multi-目的 flash
sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71152-02-000 5/01 502
交流 特性
表格 10: R
ECOMMENDED
S
YSTEM
P
OWER
-
向上
T
IMINGS
标识 参数 最小 单位
T
pu-读
1
电源-向上 至 读 运作 100 µs
T
pu-写
1
电源-向上 至 写 运作 100 µs
t10.1 502
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
表格 11: C
APACITANCE
(ta = 25
°
c, f=1 mhz, 其它 管脚 打开)
参数 描述 测试 情况 最大
C
i/o
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
i/o 管脚 电容 V
i/o
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t11.0 502
表格 12: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
忍耐力 1000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t12.2 502
表格 13: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 5.0v±10%
(ta = 0
°
c 至 +70
°
c (商业的))
标识 参数
sst27sf256-70
sst27sf512-70
sst27sf010-70
sst27sf020-70
sst27sf256-90
sst27sf512-90
sst27sf010-90
sst27sf020-90
单位MinMaxMinMax
T
RC
读 循环 时间 70 90 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 70 90 ns
T
AA
地址 进入 时间 70 90 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 35 45 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 25 30 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 25 30 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
t13.1 502
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