数据 薄板
256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit multi-目的 flash
sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71152-02-000 5/01 502
表格 14: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
为
SST27SF256
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
作
地址 建制 时间 1 µs
T
AH
地址 支撑 时间 1 µs
T
PRT
V
PP
脉冲波 上升 时间 50 ns
T
VPS
V
PP
建制 时间 1 µs
T
VPH
V
PP
支撑 时间 1 µs
T
PW
ce# 程序 脉冲波 宽度 20 30 µs
T
EW
ce# 擦掉 脉冲波 宽度 100 500 ms
T
DS
数据 建制 时间 1 µs
T
DH
数据 支撑 时间 1 µs
T
VR
V
PP
和 一个
9
恢复 时间 1 µs
T
艺术
一个
9
上升 时间 至 12v 在 擦掉 50 ns
T
A9S
一个
9
建制 时间 在 擦掉 1 µs
T
A9H
一个
9
支撑 时间 在 擦掉 1 µs
t14.0 502
表格 15: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
为
SST27SF512
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
作
地址 建制 时间 1 µs
T
AH
地址 支撑 时间 1 µs
T
PRT
oe#/v
PP
脉冲波 上升 时间 50 ns
T
VPS
oe#/v
PP
建制 时间 1 µs
T
VPH
oe#/v
PP
支撑 时间 1 µs
T
PW
ce# 程序 脉冲波 宽度 20 30 µs
T
EW
ce# 擦掉 脉冲波 宽度 100 500 ms
T
DS
数据 建制 时间 1 µs
T
DH
数据 支撑 时间 1 µs
T
VR
oe#/v
PP
和 一个
9
恢复 时间 1 µs
T
艺术
一个
9
上升 时间 至 12v 在 擦掉 50 ns
T
A9S
一个
9
建制 时间 在 擦掉 1 µs
T
A9H
一个
9
支撑 时间 在 擦掉 1 µs
t15.0 502
表格 16: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
为
sst27sf010/020
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
CES
ce# 建制 时间 1 µs
T
CEH
ce# 支撑 时间 1 µs
T
作
地址 建制 时间 1 µs
T
AH
地址 支撑 时间 1 µs
T
PRT
V
PP
脉冲波 上升 时间 50 ns
T
VPS
V
PP
建制 时间 1 µs
T
VPH
V
PP
支撑 时间 1 µs
T
PW
pgm# 程序 脉冲波 宽度 20 30 µs
T
EW
pgm# 擦掉 脉冲波 宽度 100 500 ms
T
DS
数据 建制 时间 1 µs
T
DH
数据 支撑 时间 1 µs
T
VR
一个
9
恢复 时间 为 擦掉 1 µs
T
艺术
一个
9
上升 时间 至 12v 在 擦掉 50 ns
T
A9S
一个
9
建制 时间 在 擦掉 1 µs
T
A9H
一个
9
支撑 时间 在 擦掉 1 µs
t16.0 502
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