SST25VF010-20-4C-SAE_集成电路资料查询网

数据 薄板
1 mbit spi 串行 flash
SST25VF010
19
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71233-01-000 8/03
图示 19: 交流 i
NPUT
/o
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R
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W
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图示 20: 一个 t
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L
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涉及 点 OUTPUTINPUT
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HT
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V
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交流 测试 输入 是 驱动 在 v
IHT
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) 为 一个 逻辑 “1” 和 v
ILT
(0.1v
DD
) 为 一个 逻辑 “0”. 度量 涉及 点
为 输入 和 输出 是 v
HT
(0.7v
DD
) 和 v
LT
(0.3v
DD
). 输入 上升 和 下降 时间 (10%
↔
90%) 是 <5 ns.
便条:
V
HT
- v
高
Test
V
LT
- v
低
Test
V
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- v
输入
高 测试
V
ILT
- v
输入
低 测试
1233 f20.0
至 tester
至 dut
C
L

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数据薄板 1 mbit spi 串行 flash SST25VF010 19 ©2003 硅存储技术, 公司 s71233-01-000 8/03 图示 19: 交流 i NPUT /o UTPUT R EFERENCE W AVEFORMS 图示 20: 一个 t EST L OAD E XAMPLE 1233 f19.0 涉及点 OUTPUTINPUT V HT V LT V HT V LT V IHT V ILT 交流测试输入是驱动在 v IHT (0.9v DD ) 为一个逻辑 “1” 和 v ILT (0.1v DD ) 为一个逻辑 “0”. 度量涉及点为输入和输出是 v HT (0.7v DD ) 和 v LT (0.3v DD ). 输入上升和下降时间 (10% ↔ 90%) 是 <5 ns. 便条: V HT - v 高 Test V LT - v 低 Test V IHT - v 输入高测试 V ILT - v 输入低测试 1233 f20.0 至 tester 至 dut C L

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