数据 薄板
1 mbit spi 串行 flash
SST25VF010
9
©2003 硅 存储 技术, 公司 s71233-01-000 8/03
自动 地址 increment (aai) 程序
这 aai 程序 操作指南 准许 多样的 字节 的 数据 至
是 编写程序 没有 re-issuing 这 next sequential
地址 location. 这个 特性 减少 总的 程序-
ming 时间 当 这 全部 记忆 排列 是 至 是 pro-
grammed. 一个 aai 程序 操作指南 pointing 至 一个
保护 记忆 范围 将 是 ignored. 这 选择
地址 范围 必须 是 在 这 erased 状态 (ffh) 当 ini-
tiating 一个 aai 程序 操作指南.
较早的 至 任何 写 运作, 这 写-使能 (wren)
操作指南 必须 是 executed. 这 aai 程序 操作指南
是 initiated 用 executing 一个 8-位 command, afh, followed
用 地址 位 [a
23
-一个
0
]. 下列的 这 地址, 这 数据
是 输入 sequentially 从 msb (位 7) 至 lsb (位 0). ce#
必须 是 驱动 高 在之前 这 aai 程序 操作指南 是
executed. 这 用户 必须 poll 这 busy 位 在 这 软件
状态 寄存器 或者 wait t
BP
为 这 completion 的 各自 inter-
nal 自-安排时间 字节-程序 循环. once 这 设备 com-
pletes 程序编制 字节, 这 next sequential 地址 将
是 程序, enter 这 8-位 command, afh, followed 用 这
数据 至 是 编写程序. 当 这 last desired 字节 had
被 编写程序, execute 这 写-使不能运转 (wrdi)
操作指南, 04h, 至 terminate aai. 之后 执行 的 这
wrdi command, 这 用户 必须 poll 这 状态 寄存器 至
确保 这 设备 完成 程序编制. 看 图示 6
为 aai 程序编制 sequence.
那里 是 非 wrap 模式 在 aai 程序编制; once 这
最高的 unprotected memory 地址 是 reached, 这
设备 将 exit aai 运作 和 重置 这 写-使能-
获得 位 (wel = 0).
图示 6: 一个
UTO
一个
DDRESS
I
NCREMENT
(aai) p
ROGRAM
S
EQUENCE
CE#
SI
SCK
a[23:16] a[15:8] a[7:0]
AF
数据 字节 1
AF
数据 字节 2
CE#
SI
所以
SCK
写 使不能运转 (wrdi)
操作指南 至 terminate
aai 运作
读 状态 寄存器 (rdsr)
操作指南 至 核实 终止 的
aai 运作
04last 数据 byteaf
05
D
输出
模式 3
模式 0
T
BP
T
BP
T
BP
1233 f06.1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 323334353637383915 16 23 24 31 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 01
012345670123456789101112131415 0123456789101112131415