©2001 硅 存储 技术, 公司
s71152-02-000 5/01 502
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这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 公司
mtp 是 一个 商标 的 硅 存储 技术, 公司
这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
数据 薄板
256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit (x8)
许多-时间 可编程序的 flash
sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020
特性:
• 有组织的 作 32k x8 / 64k x8 / 128k x8 / 256k x8
• 4.5-5.5v 读 运作
• 更好的 可靠性
– 忍耐力: 在 least 1000 循环
– 更好 比 100 年 数据 保持
•
低 电源 消耗量
–
起作用的 电流: 20 毫安 (典型)
–
备用物品 电流: 10 µa (典型)
•
快 读 进入 时间
–
70 ns
–
90 ns
•
快 字节-程序 运作
–
字节-程序 时间: 20 µs (典型)
–
碎片 程序 时间:
0.7 秒 (典型) 为 sst27sf256
1.4 秒 (典型) 为 sst27sf512
2.8 秒 (典型) 为 sst27sf010
5.6 秒 (典型) 为 sst27sf020
•
电的 擦掉 使用 programmer
–
做 不 需要 uv 源
–
碎片-擦掉 时间: 100 ms (典型)
•
ttl i/o 兼容性
•
电子元件工业联合会 标准 字节-宽 非易失存储器 pinouts
•
包装 有
–
32-管脚 plcc
–
32-管脚 tsop (8mm x 14mm)
–
28-管脚 pdip 为 sst27sf256/512
–
32-管脚 pdip 为 sst27sf010/020
产品 描述
这 sst27sf256/512/010/020 是 一个 32k x8 / 64k x8 /
128k x8 / 256k x8 cmos, 许多-时间 可编程序的
(mtp) 低 费用 flash, 制造的 和 sst
’
s 专卖的,
高 效能 superflash 技术. 这 分割-门
cell 设计 和 厚 oxide tunneling injector attain 更好的
可靠性 和 manufacturability 对照的 和 alternate
approaches. 这些 mtp 设备 能 是 用电气 erased
和 编写程序 在 least 1000 时间 使用 一个 外部 pro-
grammer 和 一个 12 volt 电源 供应. 它们 有 至 是
erased 较早的 至 程序编制. 这些 设备 遵从 至
电子元件工业联合会 标准 pinouts 为 字节-宽 memories.
featuring 高 效能 字节-程序, 这
sst27sf256/512/010/020 提供 一个 字节-程序 时间 的
20 µs. 设计, 制造的, 和 测试 为 一个 宽
spectrum 的 产品, 这些 设备 是 offered 和 一个
忍耐力 的 在 least 1000 循环. 数据 保持 是 评估 在
更好 比 100 年.
这 sst27sf256/512/010/020 是 suited 为 产品
那 需要 infrequent 写 和 低 电源 nonvolatile
存储. 这些 设备 将 改进 flexibility, 效率,
和 效能 当 相一致 这 低 费用 在 nonvolatile
产品 那 目前 使用 uv-eproms, otps, 和
掩饰 roms.
至 满足 表面 挂载 和 常规的 通过 孔
(所需的)东西, 这 sst27sf256/512 是 offered 在 32-管脚
plcc, 32-管脚 tsop, 和 28-管脚 pdip packages. 这
sst27sf010/020 是 offered 在 32-管脚 pdip, 32-管脚 plcc
和 32-管脚 tsop 包装. 看 计算数量 1, 2, 和 3 为
pinouts.
设备 运作
这 sst27sf256/512/010/020 是 一个 低 费用 flash solu-
tion 那 能 是 使用 至 替代 存在 uv-非易失存储器, otp,
和 掩饰 只读存储器 插座. 这些 设备 是 functionally
(读 和 程序) 和 管脚 兼容 和 工业 stan-
dard 非易失存储器 产品. 在 增加 至 非易失存储器 符合实际,
这些 设备 也 support 电的 擦掉 运作 通过 一个
外部 programmer. 它们 做 不 需要 一个 uv 源 至
擦掉, 和 因此 这 包装 做 不 有 一个 window.
读
这 读 运作 的 这 sst27sf256/512/010/020 是
控制 用 ce# 和 oe#. 两个都 ce# 和 oe# 有 至 是
低 为 这 系统 至 获得 数据 从 这 输出. once
这 地址 是 稳固的, 这 地址 进入 时间 是 equal 至
这 延迟 从 ce# 至 输出 (t
CE
). 数据 是 有 在 这
输出 之后 一个 延迟 的 t
OE
从 这 下落 边缘 的 oe#,
假设 那 ce# 管脚 有 被 低 和 这 地址
有 被 稳固的 为 在 least t
CE
- t
OE
. 当 这 ce# 管脚
是 高, 这 碎片 是 deselected 和 一个 典型 备用物品 电流
的 10 µa 是 consumed. oe# 是 这 输出 控制 和 是
使用 至 门 数据 从 这 输出 管脚. 这 数据 总线 是 在
高 阻抗 状态 当 也 ce# 或者 oe# 是 高.
字节-程序 运作
这 sst27sf256/512/010/020 是 编写程序 用 使用
一个 外部 programmer. 这 程序编制 模式 为
sst27sf256/010/020 是 使活动 用 asserting 12v (±5%)
sst27sf256 / 512 / 010 / 0205.0v-读 256kb / 512kb / 1mb / 2mb (x8) mtp flash memories
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