rev. b, 十一月 2001©2001 仙童 半导体 公司
ssr2n60b / ssu2n60b
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
10
-1
10
0
150
℃
※
注释 :
1. v
GS
= 0v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
25
℃
I
DR
, 反转 drain 电流 [a]
V
SD
, 源-流 电压 [v]
246810
10
-1
10
0
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
※
注释 :
1. v
DS
= 40v
2. 250
μ
s 脉冲波 测试
I
D
, drain 电流 [a]
V
GS
, 门-源 电压 [v]
02468101214
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 300v
V
DS
= 120v
V
DS
= 480v
※
便条 : i
D
= 2.0 一个
V
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
C
oss
C
iss
= c
gs
+ c
gd
(c
ds
= 短接)
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
※
注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
iss
Capacitance [pf]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
0123456
0
3
6
9
12
15
18
V
GS
= 20v
V
GS
= 10v
※
便条 : t
J
= 25
℃
R
ds(在)
[
Ω
],
流-源 在-阻抗
I
D
, 流 电流 [a]
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
V
GS
顶 : 15.0 v
10.0 v
8.0 v
7.0 v
6.5 v
6.0 v
5.5 v
bottom : 5.0 v
※
注释 :
1. 250
μ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
℃
I
D
, drain 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
典型 特性
图示 5. 电容 特性 图示 6. 门 承担 特性
图示 3. 在-阻抗 变化 vs
流 电流 和 门 电压
图示 4. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
和 温度
图示 2. 转移 特性图示 1. 在-区域 特性
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