st10f269-t3
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5 - 内部的 flash 记忆
5.1 - overview
– 256k 字节 在-碎片 flash 记忆
– 二 possibilities 的 flash mapping 在 这 cpu
地址 空间
– flash 记忆 能 是 使用 为 代号 和 数据
存储
– 32-位, 零 waitstate 读 进入 (62.5ns 循环
时间 在 f
CPU
= 32mhz)
– 擦掉-程序 控制 (epc) 类似的 至
m29f400b stm’s 保卫-alone flash 记忆
• 文字-用-文字 可编程序的 (16
µ
s 典型)
• 数据 polling 和 toggle 协议 为 epc
状态
• 准备好/busy 信号 连接 在 xp2int
中断 线条
• 内部的 电源-在 发现 电路
– 记忆 擦掉 在 blocks
• 一个 16K 字节, 二 8K 字节, 一个 32K 字节,
三 64k 字节 blocks
• 各自 块 能 是 erased separately
(1.5 第二 典型)
• 碎片 擦掉 (8.5 第二 典型)
• 各自 块 能 是 separately 保护
相反 程序编制 和 erasing
• 各自 保护 块 能 是 temporary unpro-
tected
• 当 使能, 这 读 保护 阻止
进入 至 数据 在 flash 记忆 使用 一个 pro-
gram 运动 输出 的 这 flash 记忆 空间.
进入 至 数据 的 内部的 flash 能 仅有的 是 每-
formed 和 一个 inner 保护 程序
– 擦掉 suspend 和 重新开始 模式
•读 和 程序 另一 块 在 擦掉
suspend
– 单独的 电压 运作, 非 需要 的 专心致志的
供应 管脚
– 低 电源 消耗量:
• 45ma 最大值 读 电流
• 60ma 最大值 程序 或者 擦掉 电流
• 自动 保卫-用-模式 (50
µ
一个 最大)
– 100,000 擦掉-程序 循环 每 块,
20 年 的 数据 保持 时间
– 运行 温度: -40 至 +125
o
C
5.2 - 运算的 overview
读 模式
在 标准 模式 (这 正常的 运行 模式)
这 flash 呈现 像 一个 在-碎片 只读存储器 和 这
一样 定时 和 符合实际. 这 flash 单元
提供 一个 快 进入 时间, 准许 零 waitstate
进入 和 cpu 频率 向上 至 32mhz.
操作指南 fetches 和 数据 operand 读 是
执行 和 所有 寻址 模式 的 这
st10f269-t3 操作指南 设置.
在 顺序 至 优化 这 程序编制 时间 的 这
内部的 flash, blocks 的 8k 字节, 16k 字节,
32K 字节, 64k 字节 能 是 使用. 但是 这 大小 的
这 blocks 做 不 应用 至 这 全部的 记忆
空间, 看 详细信息 在 表格 2.
表格 2 :
256k 字节 flash 记忆 块 organization
块 地址 (段 0) 地址 (段 1) 大小 (字节)
0
1
2
3
4
5
6
00’0000h 至 00’3fffh
00’4000h 至 00’5fffh
00’6000h 至 00’7fffh
01’8000h 至 01’ffffh
02’0000h 至 02’ffffh
03’0000h 至 03’ffffh
04’0000h 至 04’ffffh
01’0000h 至 01’3fffh
01’4000h 至 01’5fffh
01’6000h 至 01’7fffh
01’8000h 至 01’ffffh
02’0000h 至 02’ffffh
03’0000h 至 03’ffffh
04’0000h 至 04’ffffh
16K
8K
8K
32K
64K
64K
64K
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