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资料编号:626157
 
资料名称:STD2NB80
 
文件大小: 92.22K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
Rthj-amb
R
thc-下沉
T
l
热的 Resistance Junc德州仪器在-情况 最大值
热的 Resistance Junc德州仪器在-包围的 最大值
热的 阻抗 情况-下沉 典型值
最大值imum 含铅的 Temperature Soldering Purpose
2.27
100
1
275
o
c/w
oc/W
o
c/w
o
C
AVALANCHE 特性
Symbol Parameter 最大值 Value 单位
I
AR
Avalanche 电流, Repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 T
j
最大值)
1.9 一个
E
单独的 脉冲波 Avalanche 活力
(开始 T
j
=25
o
c, I
D
=I
AR
,v
DD
=50v)
176 mJ
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-source
Breakdown 电压
I
D
=250
µ
AV
GS
=0
800 V
I
DSS
Zero Ge Voltage
电流 (v
GS
=0)
V
DS
=MaxRating
V
DS
= 毫安x Ra德州仪器ng T
c
=125
o
C
1
50
µ
一个
µ
一个
I
GSS
Gate-身体 泄漏
电流 (v
DS
=0)
V
GS
=
±
30 V
±
100 nA
(
)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
gs(th)
门槛
电压
V
DS
=V
GS
I
D
= 250
µ
一个
345V
R
ds(在)
静态的 流-源
Resistance
V
GS
=10V I
D
=1.3 一个 4.6 6.5
I
d(o n)
State 电流 V
DS
>i
d(o n)
xR
Ds(on )毫安 x
V
GS
=10V
1.9 一个
动态
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
(
)向前
Transconductance
V
DS
>i
d(o n)
xR
Ds(on )毫安 x
I
D
=1.3a 1 2 S
C
iss
C
oss
C
rss
输入 电容
输出 Capacitance
反转 Transfer
电容
V
DS
=25V f=1MHz V
GS
=0 440
60
7
pF
pF
pF
STD2NB80
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