STGF7NB60SL_集成电路资料查询网

1/9九月 2004
STGF7NB60SL
n-频道 7a - 600v - 至-220fp
powermesh™ igbt
表格 1: 一般 特性
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polysilicon 门 电压 驱动
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低 门槛 电压
■
低 在-电压 漏出
■
低 门 承担
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高 电流 能力
描述
使用 这 最新的 高 电压 技术 为基础 在
一个 专利的 strip 布局, 意法半导体 有
设计 一个 先进的 家族 的 igbts, 这 pow-
erMESH
™
igbts, 和 优秀的 performances.
这 后缀 “s” identifies 一个 家族 优化 达到
最小 在-电压 漏出 为 低 频率 appli-
cations (<1khz).
产品
■
明亮的 dimmer
■
静态的 接转
表格 2: 顺序 代号
图示 1: 包装
图示 2: 内部的 图式 图解
类型 V
CES
V
ce(sat)
(最大值)
@25°C
I
C
@100°C
STGF7NB60SL 600 v < 1.6 v 7 一个
1
2
3
销售 类型 标记 包装 包装
STGF7NB60SL GF7NB60SL 至-220fp TUBE
rev.3

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1/9九月 2004 STGF7NB60SL n-频道 7a - 600v - 至-220fp powermesh™ igbt 表格 1: 一般特性 ■ polysilicon 门电压驱动 ■ 低门槛电压 ■ 低在-电压漏出 ■ 低门承担 ■ 高电流能力描述使用这最新的高电压技术为基础在一个专利的 strip 布局, 意法半导体有设计一个先进的家族的 igbts, 这 pow- erMESH ™ igbts, 和优秀的 performances. 这后缀 “s” identifies 一个家族优化达到最小在-电压漏出为低频率 appli- cations (<1khz). 产品 ■ 明亮的 dimmer ■ 静态的接转表格 2: 顺序代号图示 1: 包装图示 2: 内部的图式图解类型 V CES V ce(sat) (最大值) @25°C I C @100°C STGF7NB60SL 600 v < 1.6 v 7 一个 1 2 3 销售类型标记包装包装 STGF7NB60SL GF7NB60SL 至-220fp TUBE rev.3

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