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资料编号:627186
 
资料名称:STP12NM50
 
文件大小: 115.55K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
 
 


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stp12nm50 - stp12nm50fp - stb12nm50 - stb12nm50-1
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表格 3: 绝对 最大 比率
(
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
(1) i
SD
12a, di/dt
400a/µs, v
DD
V
(br)dss
, t
j
T
jmax.
(*) 限制 仅有的 用 最大 温度 允许
表格 4: 热的 数据
表格 5: avalanche 特性
电的 特性
(t
情况
=25
°
c 除非 否则 指定)
表格 6: 在 /止
标识 参数 单位
STB12NM50
STB12NM50
STP12NM50
STP12NM50FP
V
GS
门- 源 电压 ± 30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25
°
C
12 12 (*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100
°
C
7.5 7.5 (*) 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 48 48 (*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25
°
C
160 35 W
减额 因素 1.28 0.28 w/
°
C
V
ISO
绝缘 winthstand 电压 (直流) -- 2500 V
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 15 v/ns
T
j
T
stg
运行 接合面 温度
存储 温度
-65 至 150
-65 至 150
°
C
°
C
至-220/ d²pak /
I²PAK
至-220fp
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 最大值 0.78 3.57
°
c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 62.5
°
c/w
T
l
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的
300
°
C
标识 参数 最大值 值 单位
I
AR
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值)
6A
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(开始 t
j
= 25
°
c, i
D
= i
AR
, v
DD
= 50 v)
400 mJ
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏
电压
I
D
= 250 µa, v
GS
= 0 500 V
I
DSS
零 门 电压
流 电流 (v
GS
= 0)
V
DS
= 最大值 比率
V
DS
= 最大值 比率, t
C
= 125
°
C
1
10
µA
µA
I
GSS
门-身体 泄漏
电流 (v
DS
= 0)
V
GS
= ± 30 v ± 100 nA
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 50 µa 3
4
5V
R
ds(在
静态的 流-源 在
阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 6 一个 0.30 0.35
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