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资料编号:6259
 
资料名称:08051C103KAT9A
 
文件大小: 338.48K
   
说明
 
介绍:
General Specifications
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
56
一般 描述
在 实践 这 电流 leads 这 电压 用 一些 其它
阶段 角度 预定的 至 这 序列 阻抗 r
S
. 这 comple-
电源 因素 (p.f.) = cos
f
或者 sine
为 小 值 的
这 tan 和 sine 是 essentially equal
这个 有 led 至 这 一般 interchangeability 的 这 二
条款 在 这 工业.
相等的 序列 阻抗 –
这 期 e.s.r. 或者
相等的 序列 阻抗 结合 所有 losses 两个都
序列 和 并行的 在 一个 电容 在 一个 给 频率 所以
那 这 相等的 电路 是 减少 至 一个 简单的 r-c 序列
连接.
消耗 因素 –
这 df/pf 的 一个 电容 tells what
百分比 的 这 apparent 电源 输入 将 转变 至 热温 在 这
电容.
=
e.s.r.
=
(2
π
fc) (e.s.r.)
X
C
这 watts 丧失 是:
watts 丧失
=
(2
π
fCV
2
) (d.f.)
非常 低 值 的 消耗 因素 是 表示 作 它们的
reciprocal 为 convenience. 这些 是 called 这 “q” 或者
质量 因素 的 电容.
parasitic 电感 –
这 parasitic 电感 的 capac-
itors 是 becoming 更多 和 更多 重要的 在 这 decou-
pling 的 today’s 高 速 数字的 系统. 这 relationship
在 这 电感 和 这 波纹 电压 induced 在
这 直流 电压 线条 能 是 seen 从 这 简单的 电感
等式:
v = l
di
dt
seen 在 电流 微处理器 能 是 作 高 作
0.3 一个/ns, 和 向上 至 10a/ns. 在 0.3 a/ns, 100ph 的 parasitic
电感 能 导致 一个 电压 尖刺 的 30mv. 当 这个
做 不 声音 非常 drastic, 和 这 vcc 为 microproces-
sors 减少 在 这 电流 比率, 这个 能 是 一个 fairly 大
percentage.
另一 重要的, 常常 overlooked, reason 为 knowing
这 parasitic 电感 是 这 计算 的 这 resonant
频率. 这个 能 是 重要的 为 高 频率, 用-
通过 电容, 作 这 resonant 要点 将 给 这 大多数
信号 attenuation. 这 resonant 频率 是 计算
f
res
= 1
2
LC
绝缘 阻抗 –
绝缘 阻抗 是 这
阻抗 量过的 横过 这 terminals 的 一个 电容
和 组成 principally 的 这 并行的 阻抗 r
P
显示
在 这 相等的 电路. 作 电容 值 和 hence
这 范围 的 dielectric 增加, 这 i.r. 减少 和
hence 这 产品 (c x ir 或者 rc) 是 常常 指定 在 ohm
faradsor 更多 commonly megohm-microfarads. 泄漏
电流 是 决定 用 dividing 这 评估 电压 用 ir
(ohm’s law).
dielectric 力量 –
dielectric 力量 是 一个 expression
的 这 能力 的 一个 材料 至 承受 一个 电的 压力.
虽然 dielectric 力量 是 ordinarily 表示 在 伏特, 它
是 的确 依赖 在 这 厚度 的 这 dielectric 和
dielectric absorption –
一个 电容 做 不 释放
instantaneously 在之上 应用 的 一个 短的 电路, 但是
drains gradually 之后 这 电容 恰当的 有 被 dis-
charged. 它 是 一般 实践 至 measure 这 dielectric
absorption 用 determining 这 “reappearing voltage” 这个
呈现 横过 一个 电容 在 一些 要点 在 时间 之后 它 有
被 全部地 释放 下面 短的 电路 情况.
corona –
corona 是 这 ionization 的 空气 或者 其它 vapors
这个 导致 它们 至 conduct 电流. 它 是 特别
prevalent 在 高 电压 单位 但是 能 出现 和 低 voltages
作 好 在哪里 高 电压 gradients 出现. 这 活力
释放 degrades 这 效能 的 这 电容 和
di
dt
i (完美的)
i (真实的)
阶段
角度
丧失
角度
V
IR
s
f
e.s.r.
C
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