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先进的 数据
January 2003
STP22NM50 - STP22NM50FP
STB22NM50 - stb22nm50-1
n-频道 500V - 0.16
Ω
- 20A 至-220/fp/d
2
pak/i
2
PAK
MDmesh™Power 场效应晶体管
■
典型 R
DS
(在) = 0.16
Ω
■
高 dv/dt 和 AVALANCHE 能力
■
100% AVALANCHE 测试
■
低 输入 电容 和 门 承担
■
低 门 输入 阻抗
描述
这 MDmesh™ 是 一个 新 revolutionary 场效应晶体管 tech-
nology 那 associates 这 多样的 流 处理 和
这 Company’s PowerMESH™ horizontal 布局. 这
结果 产品 有 一个 优秀的 低 在-resis-
tance, impressively 高 dv/dt 和 极好的 avalanche
特性. 这 adoption 的 这 Company’s propri-
etary strip 技巧 产量 整体的 动态 perfor-
mance 那 是 significantly 更好的 比 那 的 类似的
competition’s 产品.
产品
这 MDmesh™ 家族 是 非常 合适的 为 增加
电源 密度 的 高 电压 转换器 准许 sys-
tem miniaturization 和 高等级的 efficiencies.
绝对 最大 比率
(•)脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
R
ds(在)
*Q
g
I
D
STP22NM50
STP22NM50FP
STB22NM50
stb22nm50-1
500 V
500 V
500 V
500 V
<0.215
Ω
<0.215
Ω
<0.215
Ω
<0.215
Ω
6.4
Ω
*nC
6.4
Ω
*nC
6.4
Ω
*nC
6.4
Ω
*nC
20 一个
20 一个
20 一个
20 一个
标识 参数 值 单位
stp(b)22nm50(-1) STP22NM50FP
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
500 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
500 V
V
GS
门- 源 电压 ±30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 25°C
20 20(*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 100°C
12.6 12.6(*) 一个
I
DM
(
●
)
流 电流 (搏动) 80 80(*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
192 45 W
减额 因素 1.2 0.36 w/°c
dv/dt(1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 15 v/ns
V
ISO
绝缘 Winthstand 电压 (直流) -- 2000 V
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150 °C
(1)i
SD
≤
20a, di/dt
≤
400a/µs, V
DD
≤
V
(br)dss
,t
j
≤
T
jmax.
(*)限制 仅有的 用 最大 温度 允许
至-220
1
2
3
至-220fp
1
2
3
I²PAK
(tabless 至-220)
1
3
D
2
PAK
I
NTERNAL 图式 图解
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