STS01DTP06
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表格 3: 绝对 最大 比率
为 pnp 类型 电压 和 电流 值 是 负的.
表格 4: 热的 数据
(1) 当 挂载 在 1 inch 正方形的 垫子 的 2 oz. 铜, t
≤
10 秒
表格 5: q1-npn 晶体管 电的 特性 (t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
* 搏动: 搏动 持续时间 = 300
m
s, 职责 循环
≤
1.5
%.
标识 参数 NPN PNP 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 (i
E
= 0)
60 -60 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (i
B
= 0)
30 -30 V
V
EBO
发射级-根基 电压 (i
C
= 0)
5-5v
I
C
集电级 电流
3-3a
I
CM
集电级 顶峰 电流 (t
p
< 5ms)
6-6a
I
B
根基 电流
1-1a
I
BM
根基 顶峰 电流 (t
p
< 1ms)
2-2a
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25
o
c 单独的
2W
P
tot
总的 消耗 在 t
C
= 25
o
c couple
1.6 W
T
stg
存储 温度
-65 至 150 °C
T
J
最大值 运行 接合面 温度
150 °C
标识
参数 单位
R
thj-amb
(1)
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
(单独的 运作)
62.5
o
c/w
R
thj-amb
(1)
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
(双 运作)
78
o
c/w
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
(i
E
= 0)
V
CB
= 60 v 0.1 µA
I
CEO
集电级 截-止 电流
(i
B
= 0)
V
CE
= 30 v 1 µA
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= 5 v 1 µA
V
(br)ceo
*
集电级-发射级
损坏 电压
(i
B
= 0)
I
C
= 10 毫安 30 V
V
ce(sat)
*
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= 1 一个 i
B
= 10 毫安
I
C
= 2 一个 i
B
= 100 毫安
0.35 1
0.7
V
V
V
是(sat)
*
根基-发射级
饱和 电压
I
C
= 1 一个 i
B
= 10 毫安 0.85 1.1 V
h
FE
*
直流 电流 增益 I
C
= 1 一个 v
CE
= 2 v
I
C
= 3 一个 v
CE
= 2 v
100
30
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