STS01DTP06
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表格 6: q2-pnp 晶体管电的 特性 (t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
* 搏动: 搏动 持续时间 = 300
m
s, 职责 循环
≤
1.5
%.
图示 3: 反转 片面的 范围 q1 npn tran-
sistor
图示 4: 直流 电流 增益 q1 npn 晶体管
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
(i
E
= 0)
V
CB
= -60 v -0.1 µA
I
CEO
集电级 截-止 电流
(i
B
= 0)
V
CE
= -30 v -1 µA
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= -5 v -1 µA
V
(br)ceo
*
集电级-发射级
损坏 电压
(i
B
= 0)
I
C
= -10 毫安 -30 V
V
ce(sat)
*
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= -1 一个 i
B
= -10 毫安
I
C
= -2 一个 i
B
= -100 毫安
-0.35 -1
-0.7
V
V
V
是(sat)
*
根基-发射级
饱和 电压
I
C
= -1 一个 i
B
= -10 毫安 -0.85 -1.1 V
h
FE
*
直流 电流 增益 I
C
= -1 一个 v
CE
= -2 v
I
C
= -3 一个 v
CE
= -2 v
100
30
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