首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:627756
 
资料名称:SUD30N03-30
 
文件大小: 65.05K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SUD30N03-30的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SUD30N03-30的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SUD30N03-30的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sud30n03-30
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70268
s-57253—rev. d, 24-二月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
= 250
一个 1.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
ZGVl DiC I
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
一个
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C 150
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 30 一个
DiS OS R i
b
V
GS
= 10 v, i
D
= 15 一个 0.020 0.030
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 125
C 0.033 0.050
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 175
C 0.036 0.054
V
GS
= 12.5 一个 0.030 0.045
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 15 一个 10 22 S
动态
一个
输入 电容 C
iss
1170
F
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz
320
pF
反转 转移 电容 C
rss
60
总的 门 承担
c
Q
g
V15VV10VI30A
18 35
C
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个
5.5
nC
门-流 承担
c
Q
gd
2
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
V15VR05
10 20
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 0.5
I 30A V 10V R 75
10 20
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
DD
,
L
I
D
30 一个, v
GEN
= 7.5
25 40
ns
下降 时间
c
t
f
15 30
源-流 二极管 比率 和 典型的 (t
C
= 25
c)
搏动 电流 I
SM
40 一个
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
F
= 0 v 1.1 1.5 V
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 30 一个, di/dt = 100 一个/
s 50 100 ns
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
c. 独立 的 运行 温度.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com