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资料编号:627839
 
资料名称:SUM65N20-30
 
文件大小: 48.61K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
 
 


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sum65n20-30
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71702
s-04920
rev. 一个, 15-oct-01
www.vishay.com
3
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0
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0 25 50 75 100 125 150
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8
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16
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180
0 20 40 60 80 100 120
0.000
0.015
0.030
0.045
0.060
0 20 40 60 80 100 120
0
20
40
60
80
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0
20
40
60
80
100
120
140
0246810
输出 特性 转移 特性
电容 门 承担
跨导 在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
流-至-源 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
I
D
流 电流 (一个)
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
V
GS
跨导 (s)g
fs
25
C
55
C
T
C
= 125
C
V
DS
= 100 v
I
D
= 65 一个
V
GS
= 10 thru 7 v
V
GS
= 10 v
C
iss
C
oss
T
C
=
55
C
25
C
125
C
4 v
在-阻抗 (r
ds(在)
)
流 电流 (一个)I
D
I
D
流 电流 (一个)
6 v
C
rss
5 v
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