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资料编号:627839
 
资料名称:SUM65N20-30
 
文件大小: 48.61K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET
 
 


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sum65n20-30
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码: 71702
s-04920
rev. 一个, 15-oct-01


流 源 损坏 vs.
接合面 temperature
avalanche 电流 vs. 时间
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
50
25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗 vs. 接合面 temperature 源-流 二极管 向前 电压
T
J
接合面 温度 (
c) V
SD
源-至-流 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 30 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
180
190
200
210
220
230
240
50
25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
接合面 温度 (
c)t
(秒)
1000
10
0.00001 0.001 0.1 1
0.1
(一个)i
Dav
0.01
I
AV
(一个) @ t
一个
= 150
C
(v)v
(br)dss
I
D
= 1.0 毫安
100
1
0.0001
I
AV
(一个) @ t
一个
= 25
C
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