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资料编号:638158
资料名称:
SMBTA93
文件大小: 136.93K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon Transistors for High Voltages
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
2
smbta 92
smbta 93
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
–dc 电流 增益
I
C
= 1
毫安,
V
CE
= 10
V
I
C
= 10
毫安,
V
CE
= 10
V
1)
I
C
= 30
毫安,
V
CE
= 10
V
1)
smbta 92
smbta 93
h
FE
25
40
25
25
–
–
–
–
–
–
–
–
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 1
毫安
smbta 92
smbta 93
V
(br)ce0
300
200
–
–
–
–
nA
nA
µ
一个
µ
一个
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 200
V
smbta 92
V
CB
= 160
V
smbta 93
V
CB
= 200
v,
T
一个
= 150 ˚c
smbta 92
V
CB
= 160
v,
T
一个
= 150 ˚c
smbta 93
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
250
250
20
20
UnitValuesParameter
标识
最小值
典型值
最大值
直流 特性
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 100
µ
一个
V
(br)eb0
5––
V
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 20
毫安,
I
B
= 2
毫安
smbta 92
smbta 93
V
CEsat
–
–
–
–
0.5
0.4
mhztransition 频率
I
C
= 10
毫安,
V
CE
= 20
v,
f
= 100
MHz
f
T
50
–
–
交流 特性
pfoutput 电容
V
CB
= 20
v,
f
= 1
MHz
smbta 92
smbta 93
C
obo
–
–
–
–
6
8
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 100
µ
一个
smbta 92
smbta 93
V
(br)cb0
300
200
–
–
–
–
naemitter-根基 截止 电流
V
EB
= 3
V
I
EB0
–
–
100
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 20
毫安,
I
B
= 2
毫安
V
BEsat
–
–
0.9
1)
脉冲波 测试 情况:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2
%.
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