TAS5182
SLES045E-六月 2002-修订 将 2004
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5
终端功能 (持续)
终端
descriptioni/o
名字
descriptioni/o
非.
dhs_一个 49 I 高-一侧流 连接, 使用 为 高-一侧 v
DS
感觉到
dhs_b 43 I 高-一侧 流 连接, 使用 为 高-一侧 v
DS
感觉到
dhs_c 37 I 高-一侧 流 连接, 使用 为 高-一侧 v
DS
感觉到
dhs_d 31 I 高-一侧 流 连接, 使用 为 高-一侧 v
DS
感觉到
dtc_hs 6 I 高-一侧 dead-时间 程序编制, 外部 电阻 至 dv
SS
必需的
dtc_ls 7 I 低-一侧 dead-时间 程序编制, 外部 电阻 至 dv
SS
必需的
DV
DD
3 P 逻辑 供应 电压
DV
SS
4, 24 P 数字的 地面, 涉及 为 输入 信号
ERR0 21 O 逻辑 输出, 信号 碎片 运作 模式/状态. 这个 输出 是 打开 流 和 内部的 pullup 电阻.
ERR1 22 O 逻辑 输出, 信号 碎片 运作 模式/状态. 这个 输出 是 打开 流 和 内部的 pullup 电阻.
ghs_一个 51 O 门 驱动 输出 为 高-一侧 场效应晶体管, half-桥 一个
ghs_b 45 O 门 驱动 输出 为 高-一侧 场效应晶体管, half-桥 b
ghs_c 39 O 门 驱动 输出 为 高-一侧 场效应晶体管, half-桥 c
ghs_d 33 O 门 驱动 输出 为 高-一侧 场效应晶体管, half-桥 d
gls_一个 54 O 门 驱动 输出 为 低-一侧 场效应晶体管, half-桥 一个
gls_b 48 O 门 驱动 输出 为 低-一侧 场效应晶体管, half-桥 b
gls_c 42 O 门 驱动 输出 为 低-一侧 场效应晶体管, half-桥 c
gls_d 36 O 门 驱动 输出 为 低-一侧 场效应晶体管, half-桥 d
GV
DD
30, 55 P 门 驱动 电压 供应 终端
GV
SS
29, 56 P 门 驱动 电压 供应 地面 返回
低/hiz 23 I 逻辑 信号 那 确定 这 驱动 输出 状态 在 一个 重置. 当 重置_ab或者 重置_cd是 低,
低/hiz = 1 indicates 那 这 输出 是 低 阻抗
低/hiz = 0 indicates 那 这 输出 是 高 阻抗
NC 1, 2, 5,
25, 26
不 连接. terminals 1, 2, 5, 25, 和 26 将 是 连接 至 dv
SS
.
oc_高 8 I 高-一侧 overcurrent trip 值 程序编制. oc 配置 电路 (看 图示 5) 是 required.
oc_低 27 I 低-一侧 overcurrent trip 值 程序编制. oc 配置 电路 (看 图示 5) 是 required.
重置_ab 12 I 重置 信号 half-桥 一个 和 b, 起作用的 低
重置_cd 17 I 重置 信号 half-桥 c 和 d, 起作用的 低
关闭 20 O 错误/警告 report 指示信号. 这个 输出 是 打开 流 和 内部的 拉-向上 电阻.
shs_一个 52 I 高-一侧 源 连接, 使用 作 bst floating 地面 (和 高-一侧 v
DS
感觉到)
shs_b 46 I 高-一侧 源 连接, 使用 作 bst floating 地面 (和 高-一侧 v
DS
感觉到)
shs_c 40 I 高-一侧 源 连接, 使用 作 bst floating 地面 (和 高-一侧 v
DS
感觉到)
shs_d 34 I 高-一侧 源 连接, 使用 作 bst floating 地面 (和 高-一侧 v
DS
感觉到)
sls_一个 53 I 源 连接 低-一侧 场效应晶体管, 地面 返回 终端, half-桥 一个
sls_b 47 I 源 连接 低-一侧 场效应晶体管, 地面 返回 终端, half-桥 b
sls_c 41 I 源 连接 低-一侧 场效应晶体管, 地面 返回 终端, half-桥 c
sls_d 35 I 源 连接 低-一侧 场效应晶体管, 地面 返回 终端, half-桥 d
温度 28 I 外部 温度 感觉到 连接
VRFILT 9 I bandgap 涉及 = 1.8 v. 电容 必须 是 连接 从 vrfilt 至 dv
SS
.
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