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tripath 技术, 公司 -  技术的 信息
14
tk2150 – rev. 1.0/12.02
典型 效能 特性
thd+n 相比 频率 相比 破裂 在之前 制造
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20 20k50 100 200 500 1k 2k 5k 10k
Hz
R
L
= 6
Ω
pout = 25w / 频道
vs =+40V
BW = 22hz-20khz(aes17)
bbm =40nS
bbm = 80ns
thd+n 相比Frequency vers美国 break before制造
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THD+n 相比Output power vers美国S向上ply voltage
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2 2005 10 20 50 100
W
R
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= 6
Ω
vs = +35v, +40v, +45v
f =1k Hz
bbm = 40ns
BW= 22hz - 20khz(aes17)
便条: +45v 测试 使用 r
FBC
=11k
Ω
(看 应用/测试 电路)
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THD+n 相比 output power 相比S向上ply voltage
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便条: +45v 测试 使用 r
FBC
=11k
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(看 应用/测试 电路)
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tripath 技术, 公司 - 技术的信息 14 tk2150 – rev. 1.0/12.02 典型效能特性 thd+n 相比频率相比破裂在之前制造 0.001 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 % 20 20k50 100 200 500 1k 2k 5k 10k Hz R L = 6 Ω pout = 25w / 频道 vs =+40V BW = 22hz-20khz(aes17) bbm =40nS bbm = 80ns thd+n 相比Frequency vers美国 break before制造 0.001 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 % 20 20k50 100 200 500 1k 2k 5k 10k Hz R L = 8 Ω pout = 20w/ 频道 vs = +40v bw = 22hz-20khz(aes17) bbm =40nS bbm =80nS THD+n 相比Frequency 相比Bandwidth 0.001 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 % 20 20k50 100 200 500 1k 2k 5k 10k Hz R L = 6 Ω pout =25W/ 频道 vs = +40v bbm = 40ns bw = 30khz bw = 20khz(aes17) Hz THD+n 相比 frequency versusBandwidth 0.001 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 % 20 20k50 100 200 500 1k 2k 5k 10k R L = 8 Ω pout =20W/ 频道 vs = +40v bbm = 40ns bw =30kHz bw = 20khz(aes17) THD+n 相比Output power vers美国S向上ply voltage 0.001 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 % 2 2005 10 20 50 100 W R L = 6 Ω vs = +35v, +40v, +45v f =1k Hz bbm = 40ns BW= 22hz - 20khz(aes17) 便条: +45v 测试使用 r FBC =11k Ω (看应用/测试电路) 1 THD+n 相比 output power 相比S向上ply voltage 0.001 10 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 % 2 2005 10 20 50 100 W R L = 8 Ω vs = +35v, +40v, +45v f =1k Hz bbm = 40ns BW= 22hz - 20khz(aes17) 便条: +45v 测试使用 r FBC =11k Ω (看应用/测试电路) 1

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