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资料编号:640615
 
资料名称:TC2001
 
文件大小: 664K
   
说明
 
介绍:
STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tripath 技术, 公司 - 技术的 信息
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tk2150 – rev. 1.0/12.02
这 场效应晶体管 驱动器 在 这 tp2150 是 operated 从 电压 得到 从 vn10 和
lo1com 为 这 低-一侧 驱动器, 和 vboot1 和ho1com 为 这 高-一侧 驱动器. vn10 必须
是 一个 管制 10v 在之上 vnn.
n-频道 mosfets 是 使用 为 两个都 这 顶 和 bottom 的 这 half 桥. 这 门 电阻器,
R
G
, 是 使用 至 控制 场效应晶体管 回转 比率 和 因此 降低 电压 overshoots.
电路 板 布局
这 tk2150 是 一个 电源 (高 电流) 放大器那 运作 在 相当地 高 切换
发生率. 这 输出 的 这 放大器 switches 在 vpp 和 vnn 在 高 speeds 当
驱动 大 电流. 这个 高-频率 digital 信号 是 passed 通过 一个 lc 低-通过 过滤
至 recover 这 amplified 音频的 信号. 自从 这 放大lifier 必须 驱动 这 inductive lc 输出 过滤
和 扬声器 负载, 这 放大器 输出 c一个 是 牵引的 在之上 这 供应 电压 和 在下
地面 用 这 活力 在 这 输出电感. 至 避免 subjecting 这 tk2150 至 可能地
损害的 电压 压力, 它 是 核心的 至有 一个 好的 打印 电路 板 布局. 它 是
推荐 那 tripath’s 布局 和 应用 电路 是 使用 为 所有 产品 和 仅有的 是
deviated 从 之后 细致的 分析 的 这 effects 的 任何 改变. 请 谈及 至 这 tk2150
evaluation 板 文档, rb-tk2150, 有 在这 tripath 网站,在 www.tripath.com.
这 查出 那 connects 这 源 的 这 顶 side 输出 场效应晶体管 至 这 流 的 这 bottom 一侧
输出 场效应晶体管 是 非常 重要的. 这个 connection 应当 是 作 宽 作 可能 和 作 短的
作 可能. 也 一个 跳越者 线 的 16 gauge 或者 更多 能 用 使用 在 并行的 和 这 查出 至
减少 任何 查出 阻抗 或者 电感. 任何阻抗 或者 电感 在 这个 查出 能 导致
这 切换 输出 至 在/undershoot 可能地 造成损坏 至 两个都 这 tp2150 和 这
输出 mosfets.
这 下列的 组件 是 重要的 至 放置near 也 它们的 associated tk2150 或者 输出
场效应晶体管 管脚. 这 recommendations 是 ranked 在顺序 的 布局 重要, 也 为 恰当的
设备 运作 或者 效能 仔细考虑.
-
这 电容, c
hbr,
提供 高 频率 bypassing 的 这 放大器 电源 供应
和 将 提供 至 减少 尖刺 横过 这 supply 围栏. 请 便条 那 两个都 场效应晶体管
half-bridges 必须 是 decoupled separately. 在 增加, 这 电压 比率 为 c
HBR
应当 是 在 least 150v 作 th是 电容 是 exposed 至这 全部 供应 范围, vpp-vnn.
-
C
FB
removes 非常 高 频率 组件从 这 放大器 反馈 信号 和
lowers 这 输出 切换 频率 用 delaying 这 反馈 信号. 在 增加,
这 值 的 c
FB
是 不同的 为 频道 1 和 频道 2 至 保持 这 平均 切换
频率 区别 更好 比 40khz. th是 降低 在-带宽 音频的 噪音. locate
这些 电容 作 关闭 至 它们的各自的 tc2001 管脚 作 可能.
-
D
D
和 d
S
应当 是 放置 作 关闭 至 这 drain 和 源 的 这 输出 mosfets
作 可能. d
D
应当 是 连接 直接地 从 这流 的 这 顶 一侧 场效应晶体管 至
这 流 的 这 bottom 一侧 场效应晶体管. d
S
应当 是 连接 直接地 从 这 源
的 这 顶 一侧 场效应晶体管 至 这 源 的 这 bottom 一侧 场效应晶体管. d
D
保护 这
bottom 一侧 输出 场效应晶体管 从输出 在/undershoots. d
S
保护 这 顶 一侧
输出 场效应晶体管 从 输出 在/undershoots. 这 在/undershoots 是 非常 高
速 过往旅客, 如果 d
D
和 d
S
是 放置 too far away 从 这 mosfets 它们 将 是
ineffective.
-
至 降低 噪音 pickup 和 降低 thd+n, r
FBC
应当 是 located 作 关闭 至 这
tc2001 作 可能. 制造 确信 那 这routing 的 这 高 电压 反馈 线条 是
保持 far away 从 这 输入 运算 放大器 或者 significant 噪音 连接 将 出现. 它 是 最好的
至 shield 这 高 电压 反馈 线条用 使用 一个 地面 平面 周围 这些 查出
作 好 作 这 输入 部分. the 反馈 和 反馈 地面 查出 应当 是
routed 一起 在 并行的.
-
C
B
, c
SW
提供 高 频率 bypassing 为 the vn10 和 自举 供应. 非常
高 电流 是 呈现 在 这些 供应.
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