TC648
ds21448c-页 12
2002 微芯 技术 公司
每 部分 1.0, “electrical characteristics”, 这 leak-
age 电流 在 这 v
作
管脚 是 非 更多 比 1 µa. 它 是
conservative 至 设计 为 一个 分隔物 电流, i
DIV
, 的
100 µa. 如果 v
DD
= 5.0v then…
等式
我们 能 更远 具体说明 r
1
和 r
2
用 这 情况 那
这 分隔物 电压 是 equal 至 我们的 desired v
作
. 这个
产量 这 下列的:
等式
solving 为 这 relationship 在 r
1
和 r
2
结果
在 这 下列的 等式:
等式
为 这个 例子, r
1
= (2.27) r
2
. substituting 这个 rela-
tionship 后面的 在 这 原来的 等式 产量 这
电阻 值:
R
2
= 15.3 k
Ω
, 和 r
1
= 34.7 k
Ω
在 这个 情况, 这 标准 值 的 34.8 k
Ω
和
15.4 k
Ω
是 非常 关闭 至 这 计算 值 和
将 是 更多 比 足够的.
5.4 输出 驱动 晶体管 选择
这 tc648 是 设计 至 驱动 一个 外部 晶体管
或者 场效应晶体管 为 调节 电源 至 这 风扇. 这个 是
显示 作 q
1
在 计算数量 5-1, 5-6, 5-7,和 5-8. 这
V
输出
管脚 有 一个 最小 源 电流 的 5 毫安 和 一个
最小 下沉 电流 的 1 毫安. 双极 晶体管 或者
mosfets 将 是 使用 作 这 电源 切换 ele-
ment, 作 是 显示 在 图示 5-6. 当 高 电流
增益 是 需要 至 驱动 大 fans, 二 晶体管 将
是 使用 在 一个 darlington 配置. 这些 电路
topologies 是 显示 在 图示 5-6: (一个) 显示 一个 单独的
npn 晶体管 使用 作 这 切换 元素; (b) illus-
trates 这 darlington 一双; 和 (c) 显示 一个 n-频道
场效应晶体管.
一个 主要的 有利因素 的 这 tc648’s pwm 控制
scheme 相比 直线的 速 控制 是 那 这 电源
消耗 在 这 通过 元素 是 保持 非常 低.
一般地, 低 费用 设备 在 非常 小 包装,
此类 作 至-92 或者 sot, 能 是 使用 effectively. 为
fans 和 名义上的 运行 电流 的 非 更多 比
200 毫安, 一个 单独的 晶体管 通常地 suffices. 在之上
200 毫安, 这 darlington 或者 场效应晶体管 解决方案 是
推荐. 为 这 电源 消耗 至 是 保持
低, 它 是 imperative 那 这 通过 晶体管 是 全部地 sat-
urated 当 "在".
表格 5-1 给 examples 的 一些 commonly 有
晶体管 和 mosfets. 这个 表格 应当 是 使用
作 一个 手册 仅有的 自从 那里 是 许多 晶体管 和
mosfets 这个 将 工作 just 作 好 作 那些 列表.
这 核心的 issues 当 choosing 一个 设备 至 使用 作
q1 是: (1) 这 损坏 电压 (v
(br)ceo
或者 v
DS
(场效应晶体管)) 必须 是 大 足够的 至 承受 这
最高的 电压 应用 至 这 风扇 (
便条:
这个will 出现
当 这 风扇 是 止); (2) 5 毫安 的 根基 驱动 电流 必须
是 足够的 至 使湿透 这 晶体管 当 组织
这 全部 风扇 电流 (晶体管 必须 有 sufficient
增益); (3) 这 v
输出
电压 必须 是 高 足够的 至 suf-
ficiently 驱动 这 门 的 这 场效应晶体管 至 降低 这
R
ds(在)
的 这 设备; (4) 评估 风扇 电流 绘制 必须
是 在里面 这 晶体管's/场效应晶体管's 电流 处理
能力; 和 (5) 电源 消耗 必须 是 保持
在里面 这 限制 的 这 选择 设备.
一个 根基-电流 限制的 电阻 是 必需的 和 双极
晶体管. 这 准确无误的 值 为 这个 电阻 能 是
决定 作 跟随:
V
OH
=V
是
(sat)
+ v
R
根基
V
R
根基
=R
根基
x i
根基
I
根基
=I
FAN
/ h
FE
V
OH
是 指定 作 80% 的 v
DD
在 部分 1.0,
“electrical characteristics”; v
是
(sat)
是 给 在 这
选择 晶体管 数据 薄板. 它 是 now 可能 至 solve
为 r
根基
.
等式
一些 产品 益处 从 这 风扇 正在 powered
从 一个 负的 供应 至 保持 发动机 噪音 输出 的 这
积极的 供应 围栏. 这个 能 是 accomplished 用 这
方法 显示 在 图示 5-7. 齐纳 二极管 d
1
补偿
这 -12v 电源 供应 电压, 支持 晶体管 q
1
止
当 v
输出
是 低. 当 v
输出
是 高, 这 电压 在
这 anode 的 d
1
增加 用 v
OH
, 造成 q
1
至 转变
在. 运作 是 否则 这 一样 作 在 这 情况 的
风扇 运作 从 +12v.
R
1
+ r
2
I
DIV
= 1e
–4
一个 = , 因此
5.0v
R
1
+ r
2
= = 50,000
Ω
= 50 k
Ω
1e
–4
一个
5.0v
V
DD
x r
2
R
1
+ r
2
V
作
=
V
DD
- v
作
V
作
R
1
= r
2
x
=
R
2
x (5 - 1.53)
1.53
V
OH
- v
是(sat)
R
根基
=
I
根基
: 点此下载
