2002 微芯 技术 公司 ds21448c-页 13
TC648
图示 5-6:
输出 驱动 晶体管 电路 topologies.
表格 5-1: 晶体管 和 mosfets 为 q
1
(v
DD
= 5v)
设备 包装
最大值 v
是(sat)
/v
GS
(v)
最小值 h
FE
V
CEO
/v
DS
(v)
风扇 电流
(毫安)
建议的
R
根基
(
Ω
)
MMBT2222A sot-23 1.2 50 40 150 800
MPS2222A 至-92 1.2 50 40 150 800
MPS6602 至-92 1.2 50 40 500 301
SI2302 sot-23 2.5 NA 20 500
便条 1
MGSF1N02E sot-23 2.5 NA 20 500
便条 1
SI4410 所以-8 4.5 NA 30 1000
便条 1
SI2308 sot-23 4.5 NA 60 500
便条 1
便条 1:
一个 序列 门 电阻 将 是 使用 在 顺序 至 控制 这 场效应晶体管 转变-在 和 转变-止 时间.
Q
1
Q
1
Q
2
地
V
DD
R
根基
V
输出
V
输出
风扇
一个) 单独的 双极 晶体管
Q
1
地
V
DD
V
输出
c) n-频道 场效应晶体管
地
V
DD
R
根基
风扇
b) darlington 晶体管 一双
风扇